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产品详细信息

参数

Bus voltage (Max) (V) 620 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V) 10 Input VCC (Max) (V) 22 Peak output current (A) 1.0 Rise time (ns) 35 Operating temperature range (C) -40 to 125 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 16 Prop delay (ns) 100 Iq (uA) 250 Input threshold TTL, CMOS Channel input logic Non-Inverting Negative voltage handling at HS pin (V) -11 Features Interlock open-in-new 查找其它 半桥驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 open-in-new 查找其它 半桥驱动器

特性

  • 高侧和低侧配置
  • 双输入,带输出互锁和 150ns 死区时间
  • 在高达 620V 的电压下完全可正常工作,HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
  • VDD 建议范围为 10V 至 20V
  • 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流
  • 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
  • HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
  • 输入负电压容差为 –5V
  • 大型负瞬态安全工作区
  • 为两个通道提供 UVLO 保护
  • 短传播延迟(典型值 140ns)
  • 延迟匹配(典型值 8ns)
  • 设计用于自举操作的悬空通道
  • 低静态电流
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 行业标准 SOIC-8 封装
  • 所有参数额定温度范围:–40°C 至 +125°C

All trademarks are the property of their respective owners.

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描述

UCC27710 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器,具有 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流能力,专用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT。

对于 IGBT,建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V,对于 MOSFET,建议的 VDD 工作电压为 17V。

UCC27710 包含保护 特性, 在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达 10V 至 20V,并且为 VDD 和 HB 偏置电源提供了 UVLO 保护。

该器件采用 TI 先进的高压器件技术, 具有 强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区 (NTSOA),以及互锁。

该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO),后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件 具有 快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在 UCC27710 上,每个通道均由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。

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下载

技术文档

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$49.00
说明
UCC27710EVM-005 适用于评估 UCC27710D(一种具备充足源和峰值灌电流容量的 620V 半桥栅极驱动器)。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
特性
  • 具有输入和输出接口的高性能驱动器。
  • 可测试大部分数据表参数
  • 可比较具有兼容引脚的各种驱动器的性能

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLUM591.ZIP (69 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLUM634.ZIP (3 KB) - PSpice Model

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
SOIC (D) 8 视图选项

订购与质量

支持与培训

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