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UCC27284-Q1

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具有 5V UVLO 和使能选项的汽车级 120V、3A 半桥栅极驱动器

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UCC27212A-Q1 正在供货 具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 Similar half-bridge driver with higher drive current and similar electrical characteristics

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5.5 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002, 2000 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features Enable, Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5.5 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002, 2000 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features Enable, Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）
    • 器件 HBM ESD 分类等级 1B
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 5V 典型欠压锁定
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 输入上的 5V 负电压处理能力
  • HS 上的 14V 负电压处理能力
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 集成式自举二极管
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）
    • 器件 HBM ESD 分类等级 1B
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 5V 典型欠压锁定
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 输入上的 5V 负电压处理能力
  • HS 上的 14V 负电压处理能力
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 集成式自举二极管

UCC27284 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27284 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27284 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。在次级侧全桥同步整流等应用中，如需要，可实现两路输入及其各自输出的重叠。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时强制将输出置为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。 UCC27284-Q1 采用 SOIC 封装，适用于恶劣的系统环境。

UCC27284 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27284 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27284 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。在次级侧全桥同步整流等应用中，如需要，可实现两路输入及其各自输出的重叠。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时强制将输出置为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。 UCC27284-Q1 采用 SOIC 封装，适用于恶劣的系统环境。
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评估板

UCC27282EVM-335 — UCC27282、120V、3A、5V UVLO 高侧低侧栅极驱动器评估模块

UCC27282EVM-335 适用于评估 UCC27282DRC，后者是一种具备高峰值拉电流和灌电流能力的 120V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

UCC27288EVM — UCC27288 100V、3A、8V UVLO 半桥栅极驱动器评估模块

UCC27288EVM 适用于评估 UCC27288D，后者是一款具备 2.5A 峰值拉电流和 3.5A 峰值灌电流能力的 100V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用作驱动功率 MOSFET 的参考设计，驱动电压高达 20V。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
计算工具

SLURB12 — UCC272xx-UCC273xx Schematic Review Template

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
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