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UCC27200-Q1

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具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 120V、3A 汽车级半桥栅极驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold CMOS Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -18 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold CMOS Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -18 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Noninverting
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：器件温度等级 1
  • -40°C 至 +150°C 的结温范围
  • 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 最大引导电压：120V
  • 最大 VDD 电压：20V
  • 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管
  • 22ns 传播延迟时间
  • 3A 灌电流，3A 拉电流输出
  • 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 7ns
  • 1ns 延迟匹配
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：器件温度等级 1
  • -40°C 至 +150°C 的结温范围
  • 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 最大引导电压：120V
  • 最大 VDD 电压：20V
  • 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管
  • 22ns 传播延迟时间
  • 3A 灌电流，3A 拉电流输出
  • 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 7ns
  • 1ns 延迟匹配

UCC27200-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。

由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，如果驱动电压低于规定的阈值，则强制将输出置为低电平。

UCC27200-Q1 具有高抗噪 CMOS 输入阈值。

该器件采用 8 引脚 SO PowerPAD™ (DDA) 封装。

UCC27200-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。

由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，如果驱动电压低于规定的阈值，则强制将输出置为低电平。

UCC27200-Q1 具有高抗噪 CMOS 输入阈值。

该器件采用 8 引脚 SO PowerPAD™ (DDA) 封装。
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设计与开发

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UCC27288EVM — UCC27288 100V、3A、8V UVLO 半桥栅极驱动器评估模块

UCC27288EVM 适用于评估 UCC27288D，后者是一款具备 2.5A 峰值拉电流和 3.5A 峰值灌电流能力的 100V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用作驱动功率 MOSFET 的参考设计，驱动电压高达 20V。
用户指南: PDF
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SLUM095.ZIP (40 KB) - PSpice 模型
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SLUM112.TSC (138 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC27200 and UCC27200A TINA-TI Transient Spice Model

SLUM111.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC27200 and UCC27200A Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM523.ZIP (2 KB) - PSpice 模型
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