UCC27201A-DIE
- 驱动两个
高端/低端配置的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) - 最大引导电压
- 最大 VDD 电压
- 片载 RD 自举二极管
- 针对高侧和
低侧驱动器的欠压闭锁
UCC27201A 是一款系列高频 N 通道 MOSFET 驱动器，此驱动器包括一个自举二极管和具有旨在实现最大的控制灵活性具有独立输入的
高侧/低侧驱动器。 这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源钳位正激式转换器中实现 N 通道 MOSFET 控制。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 1ns 的匹配。 UCC27201A 基于广泛使用的 UCC27201 驱动器，但进行了一些改进。 为了提升嘈杂电源环境中的性能，UCC27201A 运用了一种增强型 ESD 输入结构，而且能够在其 HS 引脚上耐受 －18V （最大值） 的电压。
技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | 高效、高侧/低侧驱动器 数据表 | 英语版 | 2012-9-19 | ||
| 应用手册 | 使用半桥栅极驱动器实现高侧 FET 的 100% 占空比 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024-3-26 | |
| 应用手册 | 针对半桥配置的自举电路选择 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023-9-14 | |
| 应用手册 | 比较分析两种不同的可提高栅极驱动电流的方法 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022-4-1 | |
| 应用手册 | Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. | 2020-5-12 | ||||
| 应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020-4-29 | |||
| 应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020-4-29 | |||
| 更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018-10-29 |
设计与开发
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计算工具
SLURB12 — UCC272xx-UCC273xx Schematic Review Template
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| DIESALE (TD) | — | Ultra Librarian |