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UCC27201A-DIE

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120V 升压、3A 峰值电流、高频、高侧/低侧驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) 0 to 0 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -18 Features Negative voltage handling Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) 0 to 0 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -18 Features Negative voltage handling Driver configuration Dual inputs
DIESALE (TD) — See data sheet
  • 驱动两个
    高端/低端配置的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 最大引导电压
  • 最大 VDD 电压
  • 片载 RD 自举二极管
  • 针对高侧和
    低侧驱动器的欠压闭锁
  • 驱动两个
    高端/低端配置的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 最大引导电压
  • 最大 VDD 电压
  • 片载 RD 自举二极管
  • 针对高侧和
    低侧驱动器的欠压闭锁

UCC27201A 是一款系列高频 N 通道 MOSFET 驱动器，此驱动器包括一个自举二极管和具有旨在实现最大的控制灵活性具有独立输入的
高侧/低侧驱动器。 这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源钳位正激式转换器中实现 N 通道 MOSFET 控制。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 1ns 的匹配。 UCC27201A 基于广泛使用的 UCC27201 驱动器，但进行了一些改进。 为了提升嘈杂电源环境中的性能，UCC27201A 运用了一种增强型 ESD 输入结构，而且能够在其 HS 引脚上耐受 －18V （最大值） 的电压。

UCC27201A 是一款系列高频 N 通道 MOSFET 驱动器，此驱动器包括一个自举二极管和具有旨在实现最大的控制灵活性具有独立输入的
高侧/低侧驱动器。 这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源钳位正激式转换器中实现 N 通道 MOSFET 控制。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 1ns 的匹配。 UCC27201A 基于广泛使用的 UCC27201 驱动器，但进行了一些改进。 为了提升嘈杂电源环境中的性能，UCC27201A 运用了一种增强型 ESD 输入结构，而且能够在其 HS 引脚上耐受 －18V （最大值） 的电压。
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