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UCC27834-Q1

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Automotive 230V 4A half-bridge gate driver with 8V UVLO and interlock

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 230 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8.5 Input supply voltage (max) (V) 20 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.029 Rise time (ns) 7.5 Fall time (ns) 6.5 Switch node voltage (V) -23 Features Interlock
Bootstrap supply voltage (max) (V) 230 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8.5 Input supply voltage (max) (V) 20 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.029 Rise time (ns) 7.5 Fall time (ns) 6.5 Switch node voltage (V) -23 Features Interlock
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度 1 级
  • 适用于具有互锁 (UCC27834-Q1) 或无互锁 (UCC27884-Q1) 的高侧和低侧驱动器的双路独立输入
  • 最大自举电压:+230V(HB 引脚)
  • VDD 偏置电压建议范围:8.5V 至 20V
  • 峰值输出电流:3.5A 拉电流、4A 灌电流
  • 快速传播延迟:29ns(典型值)
  • HO/LO 之间具有严格的传播延迟匹配:< 5ns(最大值)
  • dV/dt 抗扰度:100V/ns
  • 低静态电源电流消耗
    • VDD 上为 150µA(典型值)
    • HB 上为 90µA(典型值)
  • 高侧和低侧通道内置 UVLO 保护:8V
  • 用于自举运行的悬空通道
  • 采用标准 SOIC-8 封装
  • 所有参数均为全温度范围内的额定值:-40°C 至 +150°C
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度 1 级
  • 适用于具有互锁 (UCC27834-Q1) 或无互锁 (UCC27884-Q1) 的高侧和低侧驱动器的双路独立输入
  • 最大自举电压:+230V(HB 引脚)
  • VDD 偏置电压建议范围:8.5V 至 20V
  • 峰值输出电流:3.5A 拉电流、4A 灌电流
  • 快速传播延迟:29ns(典型值)
  • HO/LO 之间具有严格的传播延迟匹配:< 5ns(最大值)
  • dV/dt 抗扰度:100V/ns
  • 低静态电源电流消耗
    • VDD 上为 150µA(典型值)
    • HB 上为 90µA(典型值)
  • 高侧和低侧通道内置 UVLO 保护:8V
  • 用于自举运行的悬空通道
  • 采用标准 SOIC-8 封装
  • 所有参数均为全温度范围内的额定值:-40°C 至 +150°C

UCC278X4-Q1 是一款 230V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 拉电流和 4A 灌电流,专用于驱动功率 MOSFET。该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO),专用于驱动采用自举电源供电和半桥配置的 MOSFET。该器件在两个通道间具有快速的传播延迟和出色的延迟匹配。UCC278X4-Q1 支持 8.5V 至 20V 的宽 VDD 工作电压范围,可驱动更广泛的栅极电压,并为低侧 (VDD) 和高侧 (HB) 偏置电源提供 UVLO 保护。UCC27834-Q1 提供了互锁功能选项,可防止两个输出同时打开

该器件具有稳健的驱动性能及出色的噪声和瞬态抗扰度,具有高 dV/dt 耐受能力 (100V/ns),而且开关节点 (HS) 具备宽负向瞬态安全工作区 (NTSOA)。UCC278X4-Q1 采用 SOIC-8 引脚封装,额定工作温度范围为 -40°C 至 150°C。

UCC278X4-Q1 是一款 230V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 拉电流和 4A 灌电流,专用于驱动功率 MOSFET。该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO),专用于驱动采用自举电源供电和半桥配置的 MOSFET。该器件在两个通道间具有快速的传播延迟和出色的延迟匹配。UCC278X4-Q1 支持 8.5V 至 20V 的宽 VDD 工作电压范围,可驱动更广泛的栅极电压,并为低侧 (VDD) 和高侧 (HB) 偏置电源提供 UVLO 保护。UCC27834-Q1 提供了互锁功能选项,可防止两个输出同时打开

该器件具有稳健的驱动性能及出色的噪声和瞬态抗扰度,具有高 dV/dt 耐受能力 (100V/ns),而且开关节点 (HS) 具备宽负向瞬态安全工作区 (NTSOA)。UCC278X4-Q1 采用 SOIC-8 引脚封装,额定工作温度范围为 -40°C 至 150°C。

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应用手册 Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. 2020年 5月 12日
应用简报 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日

设计和开发

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评估板

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UCC27288EVM 适用于评估 UCC27288D,后者是一款具备 2.5A 峰值拉电流和 3.5A 峰值灌电流能力的 100V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用作驱动功率 MOSFET 的参考设计,驱动电压高达 20V。
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