产品详细信息

Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input VCC (Min) (V) 8 Input VCC (Max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Rise time (ns) 15 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 8 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 15 Prop delay (ns) 25 Iq (uA) 10 Input threshold TTL Channel input logic TTL Negative voltage handling at HS pin (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input VCC (Min) (V) 8 Input VCC (Max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Rise time (ns) 15 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 8 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 15 Prop delay (ns) 25 Iq (uA) 10 Input threshold TTL Channel input logic TTL Negative voltage handling at HS pin (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流(1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流)
  • 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
  • 自举电源电压高达 108VDC
  • 短暂传播时间(典型值为 30ns)
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配(典型值为 2ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装

应用

  • 电流反馈推挽式转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正激电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流(1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流)
  • 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
  • 自举电源电压高达 108VDC
  • 短暂传播时间(典型值为 30ns)
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配(典型值为 2ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装

应用

  • 电流反馈推挽式转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正激电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。

LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。

下载

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同但引脚有所不同。
LM5102 正在供货 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 This product adds programmable rising-edge delay with similar current drive specs.
LM5104 正在供货 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 This product adds resistor-programmable dead-time and an integrated bootstrap diode with a single PWM input.

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 13
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LM5109B 高电压 1A 峰值半桥栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.C) PDF | HTML 2016年 5月 4日
应用手册 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用手册 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
更多文献资料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018年 10月 29日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
应用手册 AN-1317 Selection of External Bootstrap Diode for LM510X Devices (Rev. B) 2018年 5月 4日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
更多文献资料 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 下载最新的英文版本 (Rev.A) 2018年 4月 17日
EVM 用户指南 AN-1299 LM5041 Evaluation Board (Rev. A) 2013年 5月 6日
EVM 用户指南 AN-1331 LM5033 Evaluation Board (Rev. A) 2013年 5月 6日
应用手册 App Note 1317 Selection of Ext Bootstrp Diode for LM510X Devices 下载最新的英文版本 (Rev.B) 2004年 5月 1日

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

仿真模型

LM5109B PSpice Transient Model

SNVMAM7.ZIP (75 KB) - PSpice Model
仿真模型

LM5109B Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAM8.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具

LM51xx Schematic Review Template

SNVR521.ZIP (214 KB)
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

TIDA-010086 — 适用于成本优化型电池测试系统的数字控制参考设计

本参考设计为电池化成和测试应用提供了一种具有成本效益的解决方案。此设计将 C2000™ 实时控制 MCU 用于高分辨率脉宽调制 (PWM) 生成,以及恒定电流 (CC) 和恒定电压 (CV)
控制环路。它可高效利用 MCU,不需要精密数模转换器,使物料清单的费用节省超过 30%。软件中电流和电压环路的灵活性使用户可通过一种设计实现多级电流和电压输出。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDM-DC-DC-BUCK — 数控非隔离式 DC/DC 降压转换器参考设计

该设计的目的是演示使用 C2000™ 微控制器的数字电源控制并评估 powerSUITE 数字电源软件工具。该设计包含两块独立的电路板:

用于该设计的软件打包在 C2000 MCU DigitalPower 软件开发套件 (SDK) 中。

设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
SOIC (D) 8 了解详情
WSON (NGT) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频