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产品详细信息

参数

Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input VCC (Min) (V) 8 Input VCC (Max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Rise time (ns) 15 Operating temperature range (C) -40 to 125 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 15 Prop delay (ns) 25 Iq (uA) 10 Input threshold TTL Channel input logic TTL Negative voltage handling at HS pin (V) -1 Features open-in-new 查找其它 半桥驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4 open-in-new 查找其它 半桥驱动器

特性

  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流(1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流)
  • 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
  • 自举电源电压高达 108VDC
  • 短暂传播时间(典型值为 30ns)
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配(典型值为 2ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装

应用

  • 电流反馈推挽式转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正激电源转换器

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描述

LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。

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技术文档

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适用于成本优化型电池测试系统的数字控制参考设计
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