产品详细信息

Bus voltage (Max) (V) 300 Power switch MOSFET, GaNFET Input VCC (Min) (V) 6 Input VCC (Max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Rise time (ns) 0.5 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 4 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 0.5 Prop delay (ns) 10 Iq (uA) 300 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Resistor-controllable deadtime, Internal LDO, Bootstrap supply voltage clamp
Bus voltage (Max) (V) 300 Power switch MOSFET, GaNFET Input VCC (Min) (V) 6 Input VCC (Max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Rise time (ns) 0.5 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 4 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 0.5 Prop delay (ns) 10 Iq (uA) 300 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Resistor-controllable deadtime, Internal LDO, Bootstrap supply voltage clamp
  • 工作频率高达 50MHz
  • 10ns 典型传播延迟
  • 3.4ns 高侧至低侧匹配
  • 4ns 最小脉宽
  • 两个控制输入选项
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 独立输入模式
  • 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流
  • 外部自举二极管可实现灵活性
  • 内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力
  • 高 300V/ns CMTI
  • HO 到 LO 的电容小于 1pF
  • UVLO 和过热保护
  • 低电感 WQFN 封装
  • 工作频率高达 50MHz
  • 10ns 典型传播延迟
  • 3.4ns 高侧至低侧匹配
  • 4ns 最小脉宽
  • 两个控制输入选项
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 独立输入模式
  • 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流
  • 外部自举二极管可实现灵活性
  • 内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力
  • 高 300V/ns CMTI
  • HO 到 LO 的电容小于 1pF
  • UVLO 和过热保护
  • 低电感 WQFN 封装

LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器,专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发, 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO,可确保 5V 的栅极驱动器电压(而与电源电压无关)。

为了在各种应用中获得 最佳性能,LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时,内部开关会关闭自举二极管,以有效防止高侧自举过度充电,并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF,以减少额外的开关损耗。

该 LMG1210 具有 两种控制输入模式:独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下,两个补偿输出信号由单个输入产生,用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行,并采用低电感 WQFN 封装。

LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器,专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发, 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO,可确保 5V 的栅极驱动器电压(而与电源电压无关)。

为了在各种应用中获得 最佳性能,LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时,内部开关会关闭自举二极管,以有效防止高侧自举过度充电,并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF,以减少额外的开关损耗。

该 LMG1210 具有 两种控制输入模式:独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下,两个补偿输出信号由单个输入产生,用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行,并采用低电感 WQFN 封装。

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* 数据表 具有可调节死区时间的 LMG1210 200V、1.5A、3A 半桥 MOSFET 和 GaN FET 驱动器 (适合 工作频率高达 50MHz 的应用) 数据表 (Rev. D) 下载英文版本 (Rev.D) 2019年 5月 20日
应用手册 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用手册 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用手册 How to Optimize RF Amplifier Performance Using LMG1210 2019年 10月 3日
应用手册 GaN Gate Driver Layout Help 2019年 5月 23日
应用手册 LMG1210 Layout Technique 2019年 5月 23日
应用手册 How to get full functionality using LMG1210 2018年 12月 5日
应用手册 Optimizing Efficiency Through Dead Time Control With the LMG1210 GaN Driver (Rev. A) 2018年 11月 27日
白皮书 Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A) 2018年 11月 27日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技术文章 The sound of GaN 2018年 6月 26日
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技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
用户指南 Using the LMG1210-HB-EVM User's Guide 2018年 1月 29日

设计与开发

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仿真模型

LMG1210 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM615C.ZIP (22427 KB) - PSpice Model
仿真模型

LMG1210 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SNOM617C.TSC (610 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

LMG1210 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNOM677.ZIP (7 KB) - PSpice Model
仿真工具

PSPICE-FOR-TI — PSPICE® for TI design and simulation tool

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI 器件、了解产品系列、打开测试台并对您的设计进行仿真,从而进一步分析选定的器件。您还可对多个 TI 器件进行联合仿真,以更好地展现您的系统。

除了一个完整的预加载模型库之外,您还可以在 PSPICE-FOR-TI 工具中轻松访问 TI 器件的全新技术资料。在您确认找到适合您应用的器件后,可访问 TI store 购买产品。 

借助 PSpice for TI,您可使用合适的工具来满足您在整个设计周期(从电路探索到设计开发和验证)的仿真需求。免费获取、轻松入门。立即下载 PSpice 设计和仿真套件,开始您的设计。

入门

  1. 申请使用 PSPICE-FOR-TI 仿真器
  2. 下载并安装
  3. 观看有关仿真入门的培训
CAD/CAE 符号

LMG1210 Altium Deisgn Files

SNOR026.ZIP (3265 KB)
参考设计

PMP21440 — 对比:0.8V/8W GaN 与硅质电源参考设计

该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381(对于硅电源)和采用 EPC2111 的 LMG1210(对于 GaN 电源),以提供 0.8V 的电压和 10A 的电流。该设计将硅功率级与 GaN 功率级进行比较,以说明在使用 GaN 进行设计时的设计折衷和必要的优化。
参考设计

TIDA-01634 — 适用于高速直流/直流转换器的数兆赫兹 GaN 功率级参考设计

此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT),实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节,此参考设计不仅可以显著改善功率密度,同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用,例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。
封装 引脚 下载
(RVR) 19 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品的参数、评估模块或参考设计可能与此 TI 产品相关

支持与培训

视频