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LM5109

不推荐用于新设计

100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver

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LM5109 不推荐用于新设计
虽然我们会继续生产此产品供先前的设计使用，但不推荐在新设计中使用此产品。请考虑从这些替代产品中选择一款：
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功能优于比较器件，可直接替换
LM5109B 正在供货 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器 Improved performance
功能与比较器件相同且具有相同引脚
NEW LM2105 预发布 具有 5V UVLO 和集成式自举二极管的 105V、0.5A/0.8A 半桥栅极驱动器 Lower 1 ku price and integrated bootstrap diode

LM5109

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产品详情

Power switch MOSFET Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
Power switch MOSFET Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • 1A peak output current (1.0A sink / 1.0A source)
  • Independent TTL compatible inputs
  • Bootstrap supply voltage to 118V DC
  • Fast propagation times (27 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (2 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockout
  • Low power consumption
  • Pin compatible with ISL6700
  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • 1A peak output current (1.0A sink / 1.0A source)
  • Independent TTL compatible inputs
  • Bootstrap supply voltage to 118V DC
  • Fast propagation times (27 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (2 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockout
  • Low power consumption
  • Pin compatible with ISL6700

The LM5109 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced LLP-8 packages.

The LM5109 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced LLP-8 packages.
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* 数据表 LM5109 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver 数据表 2005年 4月 26日
白皮书 Power Electronics in Motor Drives: Where is it? (Rev. A) 2019年 10月 1日
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参考设计

TIDA-010042 — 适用于 12V、24V 及 48V 太阳能电池板的 MPPT 充电控制器参考设计

该参考设计是一款适用于 12V 和 24V 太阳能电池板的最大功率点跟踪 (MPPT) 太阳能充电控制器。此参考设计布局紧凑，适用于中小型太阳能充电器解决方案，能够在 15V 至 60V 太阳能电池板模块、12V 或 24V 电池中正常运行，并提供高达 20A 的输出电流。该设计利用两相交错降压转换器将电池板电压降低至电池电压。降压转换器及与其连接的栅极驱动器由微控制器单元 (MCU) 控制，该微控制器单元使用扰动观测法计算最大功率点。该太阳能 MPPT 充电控制器在设计时便将各种实际设计注意事项考虑在内，其中包括电池反向保护、软件可编程警报和指示以及浪涌和 ESD 保护等。
设计指南: PDF
原理图: PDF
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  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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