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LM5109

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产品详情

Power switch MOSFET Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
Power switch MOSFET Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • 1A peak output current (1.0A sink / 1.0A source)
  • Independent TTL compatible inputs
  • Bootstrap supply voltage to 118V DC
  • Fast propagation times (27 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (2 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockout
  • Low power consumption
  • Pin compatible with ISL6700
  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • 1A peak output current (1.0A sink / 1.0A source)
  • Independent TTL compatible inputs
  • Bootstrap supply voltage to 118V DC
  • Fast propagation times (27 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (2 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockout
  • Low power consumption
  • Pin compatible with ISL6700

The LM5109 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced LLP-8 packages.

The LM5109 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced LLP-8 packages.
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  • REACH
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  • 引脚镀层/焊球材料
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