LM5109
- Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
- 1A peak output current (1.0A sink / 1.0A source)
- Independent TTL compatible inputs
- Bootstrap supply voltage to 118V DC
- Fast propagation times (27 ns typical)
- Drives 1000 pF load with 15ns rise and fall times
- Excellent propagation delay matching (2 ns typical)
- Supply rail under-voltage lockout
- Low power consumption
- Pin compatible with ISL6700
The LM5109 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced LLP-8 packages.
技术文档
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查看全部 4 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | LM5109 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver 数据表 | 2005年 4月 26日 | |||
白皮书 | Power Electronics in Motor Drives: Where is it? (Rev. A) | 2019年 10月 1日 | ||||
更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
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