产品详细信息

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 5 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 2.25 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 76 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 5 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 2.25 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 76 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 适用于汽车电子 应用
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
    • 器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A
    • 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6
  • VCM = 1500V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/μs
  • 分离输出,可提供 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 短暂传播延迟:76ns(典型值),
    110ns(最大值)
  • 2A 有源米勒钳位
  • 输出短路钳位
  • 短路期间的软关断 (STO)
  • 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警,并通过 RST 复位
  • 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 2.25V 至 5.5V 输入电源电压
  • 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
  • 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
  • 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
  • 可承受的浪涌隔离电压达 12800VPK
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离
    • CSA 组件验收通知 5A,IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
    • GB4943.1-2011 CQC 认证
    • 已通过 UL、VDE、CQC、TUV 认证并规划进行 CSA 认证

应用

  • 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器:
    • 混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块
    • 工业电机控制驱动
    • 工业电源
    • 太阳能逆变器
    • 感应加热

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  • 适用于汽车电子 应用
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
    • 器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A
    • 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6
  • VCM = 1500V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/μs
  • 分离输出,可提供 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 短暂传播延迟:76ns(典型值),
    110ns(最大值)
  • 2A 有源米勒钳位
  • 输出短路钳位
  • 短路期间的软关断 (STO)
  • 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警,并通过 RST 复位
  • 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 2.25V 至 5.5V 输入电源电压
  • 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
  • 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
  • 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
  • 可承受的浪涌隔离电压达 12800VPK
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离
    • CSA 组件验收通知 5A,IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
    • GB4943.1-2011 CQC 认证
    • 已通过 UL、VDE、CQC、TUV 认证并规划进行 CSA 认证

应用

  • 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器:
    • 混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块
    • 工业电机控制驱动
    • 工业电源
    • 太阳能逆变器
    • 感应加热

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ISO5852S-Q1 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有分离输出(OUTH 和 OUTL)以及 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 2.25V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。中的文本由“3V 至 5.5V 单电源”更改为“2.25V 至 5.5V 单电源”中的文本由“IGBT 处于过载状态”更改为“IGBT 处于过流状态”

内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过流状态。检测到 DESAT 时,静音逻辑会立即阻断隔离器输出,并启动软关断过程以禁用 OUTH 引脚并将 OUTL 引脚拉至低电平持续 2μs。当 OUTL 引脚达到 2V 时(相对于最大负电源电势 VEE2),栅极驱动器会被“硬”拉至 VEE2 电势,从而立即将 IGBT 关断。已将中的文本由“并降低 OUTL 的电压持续 2μs 以上”更改为“并将 OUTL 拉至低电平持续 2μs”

当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。静音逻辑在软关断期间激活。FLT 的输出状态将被锁存,并只能在 RDY 引脚变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。已更改的第 3 段

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止 IGBT 在高电压瞬态状态下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制,这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足,RDY 输出会变为低电平,否则该输出为高电平。

ISO5852S-Q1 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装. 此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。

ISO5852S-Q1 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有分离输出(OUTH 和 OUTL)以及 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 2.25V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。中的文本由“3V 至 5.5V 单电源”更改为“2.25V 至 5.5V 单电源”中的文本由“IGBT 处于过载状态”更改为“IGBT 处于过流状态”

内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过流状态。检测到 DESAT 时,静音逻辑会立即阻断隔离器输出,并启动软关断过程以禁用 OUTH 引脚并将 OUTL 引脚拉至低电平持续 2μs。当 OUTL 引脚达到 2V 时(相对于最大负电源电势 VEE2),栅极驱动器会被“硬”拉至 VEE2 电势,从而立即将 IGBT 关断。已将中的文本由“并降低 OUTL 的电压持续 2μs 以上”更改为“并将 OUTL 拉至低电平持续 2μs”

当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。静音逻辑在软关断期间激活。FLT 的输出状态将被锁存,并只能在 RDY 引脚变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。已更改的第 3 段

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止 IGBT 在高电压瞬态状态下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制,这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足,RDY 输出会变为低电平,否则该输出为高电平。

ISO5852S-Q1 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装. 此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 ISO5852S-Q1 具有分离输出和有源安全特性的高 CMTI 2.5A 和 5A 增强型隔离式 IGBT、MOSFET 栅极 驱动器 数据表 下载最新的英文版本 (Rev.A) 2016年 11月 4日
证书 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. J) 2021年 8月 23日
证书 CQC Certification (Rev. G) 2021年 8月 19日
证书 CSA Certification (Rev. Q) 2021年 6月 14日
证书 VDE certificate for reinforced isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 (Rev. O) 2021年 6月 14日
证书 UL Certification (Rev. O) 2021年 2月 3日
应用手册 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用手册 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用手册 LM5106, ISO5852 Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate Drive 2020年 2月 26日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
应用手册 Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
用户指南 ISO5852S Evaluation Module User's Guide (Rev. A) 2015年 9月 8日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

评估板

ISO5852SEVM — ISO5852SEVM - ISO5852S 评估模块

该评估模块采用 ISO5852S 增强型隔离式栅极驱动器器件,可让设计人员通过预填充的 1-nF 负载或采用标准 TO-247 或 TO-220 封装的用户安装型 IGBT 来评估器件的交流和直流性能。

现货
数量限制: 1
仿真模型

ISO5852S Unencrypted PSPICE Transient Model

SLLM446.ZIP (4 KB) - PSpice Model
仿真工具

PSPICE-FOR-TI — PSPICE® for TI design and simulation tool

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI 器件、了解产品系列、打开测试台并对您的设计进行仿真,从而进一步分析选定的器件。您还可对多个 TI 器件进行联合仿真,以更好地展现您的系统。

除了一个完整的预加载模型库之外,您还可以在 PSPICE-FOR-TI 工具中轻松访问 TI 器件的全新技术资料。在您确认找到适合您应用的器件后,可访问 TI store 购买产品。 

借助 PSpice for TI,您可使用合适的工具来满足您在整个设计周期(从电路探索到设计开发和验证)的仿真需求。免费获取、轻松入门。立即下载 PSpice 设计和仿真套件,开始您的设计。

入门

  1. 申请使用 PSPICE-FOR-TI 仿真器
  2. 下载并安装
  3. 观看有关仿真入门的培训
参考设计

TIDA-020014 — 具有 3 种 IGBT/SiC 偏置电源解决方案的 HEV/EV 牵引逆变器功率级参考设计

This reference design presents a traction inverter single-phase power stage with three 12-V car battery inputs, 4.2-W bias supply solutions for hybrid electric vehicle and electric vehicle (HEV/EV) systems. All bias-supply solutions accept a wide input range of 4.5 V to 42 V DC from a 12-V car (...)
参考设计

TIDA-00794 — 适用于 HEV/EV 牵引逆变器的 IGBT 模块的过热保护参考设计

TIDA-00794 参考设计是适用于 HEV/EV 牵引逆变器系统中 IGBT 热保护的温度传感解决方案。它通过 IGBT 模块内集成的 NTC 热敏电阻监测 IGBT 温度。一旦 NTC 热敏电阻温度升至编程的阈值以上,它就对 IGBT 栅极驱动器进行热关闭。该设计包含 IGBT 隔离栅极驱动器、高电压隔离、NTC 信号调节、负载电阻器和连接到 MSP430 的 I2C 接口,使设计系统可以在高额定功率下独立运行。
封装 引脚 下载
SOIC (DW) 16 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

视频