LM2104

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107V 0.5A/0.8A half-bridge gate driver with 8V UVLO, dead time and shutdown

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V)

107

Power switch

IGBT, MOSFET

Input supply voltage (min) (V)

9

Input supply voltage (max) (V)

18

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Undervoltage lockout (typ) (V)

8

Rating

Catalog

Fall time (ns)

18

Iq (mA)

0.0333

Input threshold

CMOS, TTL

Channel input logic

Inverting, Noninverting

Switch node voltage (V)

-1

Features

Dead time control, Shutdown

Driver configuration

Single input

Bootstrap supply voltage (max) (V)

107

Power switch

IGBT, MOSFET

Input supply voltage (min) (V)

9

Input supply voltage (max) (V)

18

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Undervoltage lockout (typ) (V)

8

Rating

Catalog

Fall time (ns)

18

Iq (mA)

0.0333

Input threshold

CMOS, TTL

Channel input logic

Inverting, Noninverting

Switch node voltage (V)

-1

Features

Dead time control, Shutdown

Driver configuration

Single input

SOIC (D)

8

29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)

可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
8-V GVDD 上的典型欠压锁定
BST 上的最大绝对电压为 107V
SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
典型固定内部死区时间为 475ns
内置跨导保护
115ns 典型传播延迟
关断逻辑输入引脚 SD
单输入引脚 IN

可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
8-V GVDD 上的典型欠压锁定
BST 上的最大绝对电压为 107V
SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
典型固定内部死区时间为 475ns
内置跨导保护
115ns 典型传播延迟
关断逻辑输入引脚 SD
单输入引脚 IN

LM2104 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 IN 引脚使得该器件可用于单 PWM 输入应用，而 SD 引脚则允许控制器在 SD 引脚为低电平时关闭驱动器输出以将其禁用，而不受 IN 引脚状态的影响。

SH 引脚具有固定死区时间以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力，可提升高噪声应用中的系统稳健性。 LM2104 采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能，以在上电和断电期间提供保护。

LM2104 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 IN 引脚使得该器件可用于单 PWM 输入应用，而 SD 引脚则允许控制器在 SD 引脚为低电平时关闭驱动器输出以将其禁用，而不受 IN 引脚状态的影响。

SH 引脚具有固定死区时间以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力，可提升高噪声应用中的系统稳健性。 LM2104 采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能，以在上电和断电期间提供保护。

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评估板

LM2105EVM — LM2105 具有集成式自举二极管的 105V 半桥驱动器评估模块

LM2105 评估模块 (EVM) 是一款用于评估 LM2105 性能的平台。LM2105 是一款具有 0.5A 峰值拉电流、0.8A 峰值灌电流、105V 引导电压的高侧/低侧驱动器，可用于驱动两个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该评估板还可用于评估支持的封装中的引脚对引脚兼容器件。

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