ZHCAAD4C June   2021  – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2半导体开关
    1. 2.1 NMOS 开关
    2. 2.2 PMOS 开关
  4. 3信号开关基本结构
    1. 3.1 NMOS 串联开关
    2. 3.2 NMOS/PMOS 并联开关
    3. 3.3 带有电荷泵的 NMOS 串联开关
  5. 4数字开关应用中的关键问题
    1. 4.1  电源和控制电压要求
    2. 4.2  轨至轨运行
    3. 4.3  下冲
    4. 4.4  ron
    5. 4.5  Cio(off)
    6. 4.6  Cio(on)
    7. 4.7  Ci（控制输入电容）
    8. 4.8  泄漏电流
    9. 4.9  启用和禁用延迟和传播延迟
    10. 4.10 部分断电
    11. 4.11 电压转换
  6. 5信号开关系列
    1. 5.1 CBT-C 系列
      1. 5.1.1 CBT-C 系列特性
        1. 5.1.1.1 VO 和 VI
        2. 5.1.1.2 ron 和 VI
        3. 5.1.1.3 下冲保护
      2. 5.1.2 CBT-C 系列应用
        1. 5.1.2.1 总线隔离
    2. 5.2 CBTLV 系列
      1. 5.2.1 CBTLV 系列特性
    3. 5.3 CB3Q 系列
      1. 5.3.1 CB3Q 系列特性
        1. 5.3.1.1 VO 和 VI
        2. 5.3.1.2 ron 和 VI
        3. 5.3.1.3 高频运行
        4. 5.3.1.4 输出偏斜
        5. 5.3.1.5 频率响应
        6. 5.3.1.6 相邻通道串扰
      2. 5.3.2 CB3Q 系列应用
        1. 5.3.2.1 USB 应用中的多路复用器
    4. 5.4 CB3T 系列
      1. 5.4.1 CB3T 系列特性
        1. 5.4.1.1 VO 和 VI
        2. 5.4.1.2 ron 和 VI
        3. 5.4.1.3 高频运行
      2. 5.4.2 CB3T 系列应用
        1. 5.4.2.1 笔记本电脑中外部监视器终端的电压转换
  7. 6应用
    1. 6.1 多路复用 USB 外围设备
    2. 6.2 多路复用以太网
    3. 6.3 笔记本电脑扩展坞
  8. 7结论
  9. 8参考文献
  10. 9修订历史记录
  11.   A 测试测量电路
    1.     A.1 ron 测量设置
    2.     A.2 VO 和 VI 特性的测量设置
    3.     A.3 电压-时间波形测量（开关开启）
    4.     A.4 电压-时间波形测量（开关关断）
    5.     A.5 输出偏斜测量
    6.     A.6 下冲测量的仿真设置
    7.     A.7 用于衰减测量的实验室设置
    8.     A.8 用于关断隔离测量的实验室设置
    9.     A.9 用于串扰测量的实验室设置

5.1 CBT-C 系列

CBT-C（交叉开关技术 - 钳位）系列中的开关为 NMOS 串联开关。该系列的工作电压 VCC 为 5V，可实现各种标准（例如LVCMOS、LVTTL 等）的切换。该系列还具有集成在总线开关中的下冲保护电路。下冲保护电路防止 n 沟道传输晶体管在开关关闭时导通。当发生下冲时，该电路感测输入端的负电压并将 n 通道传输晶体管的栅极偏置到该负电压。栅极和源极电压现在处于相同电势（< 0V），因此开关保持关闭。关闭开关一侧的下冲保护机制可防止开关另一侧高达 –2V 的下冲。此系列的静态功耗可以忽略不计。动态功耗取决于器件使能输入的频率。在使能输入端进行高低电平转换会导致内部 CMOS 反相器进行低高电平转换；所以，控制输入信号频率越高，动态功耗越高。图 5-1 示出了 CBT-C 中的下冲保护机制。

GUID-21E775A3-6E43-4B06-87A2-D17B7C4FF7AC-low.gif图 5-1 使能输入 (OE) 电压为高电平时 CBT-C 中的下冲保护机制