ZHCAAD4C June 2021 – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159
绝缘栅场效应晶体管 (IGFET) 开关是一种广泛使用的电子开关,金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是 IGFET 的一种类型。虽然术语MOSFET 更常用,但现在大多数电子开关不使用金属氧化物作为栅极,而是使用更先进的工艺制作栅极。TI 使用先进的多晶硅栅极增强型晶体管技术来制造半导体开关,从而能够更好地控制性能特性。本应用报告使用 MOSFET 及其相关术语,因为它们在半导体文献中更为常见。当将足够的偏置电压施加到 MOSFET 栅极时,源极和漏极之间会形成一条低电阻路径;当去除偏置电压时,该路径的电阻变得非常大。MOSFET 可分为两种类型:n 通道 MOSFET (NMOS) 和 p 通道 MOSFET (PMOS)。