ZHCAAD4C June   2021  – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2半导体开关
    1. 2.1 NMOS 开关
    2. 2.2 PMOS 开关
  4. 3信号开关基本结构
    1. 3.1 NMOS 串联开关
    2. 3.2 NMOS/PMOS 并联开关
    3. 3.3 带有电荷泵的 NMOS 串联开关
  5. 4数字开关应用中的关键问题
    1. 4.1  电源和控制电压要求
    2. 4.2  轨至轨运行
    3. 4.3  下冲
    4. 4.4  ron
    5. 4.5  Cio(off)
    6. 4.6  Cio(on)
    7. 4.7  Ci（控制输入电容）
    8. 4.8  泄漏电流
    9. 4.9  启用和禁用延迟和传播延迟
    10. 4.10 部分断电
    11. 4.11 电压转换
  6. 5信号开关系列
    1. 5.1 CBT-C 系列
      1. 5.1.1 CBT-C 系列特性
        1. 5.1.1.1 VO 和 VI
        2. 5.1.1.2 ron 和 VI
        3. 5.1.1.3 下冲保护
      2. 5.1.2 CBT-C 系列应用
        1. 5.1.2.1 总线隔离
    2. 5.2 CBTLV 系列
      1. 5.2.1 CBTLV 系列特性
    3. 5.3 CB3Q 系列
      1. 5.3.1 CB3Q 系列特性
        1. 5.3.1.1 VO 和 VI
        2. 5.3.1.2 ron 和 VI
        3. 5.3.1.3 高频运行
        4. 5.3.1.4 输出偏斜
        5. 5.3.1.5 频率响应
        6. 5.3.1.6 相邻通道串扰
      2. 5.3.2 CB3Q 系列应用
        1. 5.3.2.1 USB 应用中的多路复用器
    4. 5.4 CB3T 系列
      1. 5.4.1 CB3T 系列特性
        1. 5.4.1.1 VO 和 VI
        2. 5.4.1.2 ron 和 VI
        3. 5.4.1.3 高频运行
      2. 5.4.2 CB3T 系列应用
        1. 5.4.2.1 笔记本电脑中外部监视器终端的电压转换
  7. 6应用
    1. 6.1 多路复用 USB 外围设备
    2. 6.2 多路复用以太网
    3. 6.3 笔记本电脑扩展坞
  8. 7结论
  9. 8参考文献
  10. 9修订历史记录
  11.   A 测试测量电路
    1.     A.1 ron 测量设置
    2.     A.2 VO 和 VI 特性的测量设置
    3.     A.3 电压-时间波形测量（开关开启）
    4.     A.4 电压-时间波形测量（开关关断）
    5.     A.5 输出偏斜测量
    6.     A.6 下冲测量的仿真设置
    7.     A.7 用于衰减测量的实验室设置
    8.     A.8 用于关断隔离测量的实验室设置
    9.     A.9 用于串扰测量的实验室设置

5.3 CB3Q 系列

CB3Q（高带宽交叉开关技术）系列开关仅为 NMOS，具有平缓的低 ron。ron 的平缓特性是通过电荷泵电路实现的，该电路在 n 通道传输晶体管的栅极上产生约 7V 的电压。因此，可实现 0V 至 5V 轨至轨开关电压，因为栅源电压远高于 n 通道晶体管的阈值，并且开关在整个 0V 至 5V 范围内完全打开。内部振荡器电路是电荷泵电路的一部分；因此，该系列的静态功耗高于 CBT-C 系列。动态功耗取决于使能输入的频率。除了平缓的低 ron 外，该系列还具有低输入和输出电容，因此适用于高性能应用。I/O 信号的最大开关频率取决于各种因素，例如负载类型、输入信号幅值、输入信号边沿速率、封装类型等。封装较大时，电感和电容会形成谐振电路，引起相位和幅值失真。容性负载较大时，RC 时间常量变高并限制频率。图 5-9 示出了 CB3Q 器件的简化原理图。

GUID-73E0EE65-1566-4C6C-9C87-CCE45A419DB5-low.gif图 5-9 CB3Q 器件的简化原理图