ZHCAAD4C June   2021  – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2半导体开关
    1. 2.1 NMOS 开关
    2. 2.2 PMOS 开关
  4. 3信号开关基本结构
    1. 3.1 NMOS 串联开关
    2. 3.2 NMOS/PMOS 并联开关
    3. 3.3 带有电荷泵的 NMOS 串联开关
  5. 4数字开关应用中的关键问题
    1. 4.1  电源和控制电压要求
    2. 4.2  轨至轨运行
    3. 4.3  下冲
    4. 4.4  ron
    5. 4.5  Cio(off)
    6. 4.6  Cio(on)
    7. 4.7  Ci（控制输入电容）
    8. 4.8  泄漏电流
    9. 4.9  启用和禁用延迟和传播延迟
    10. 4.10 部分断电
    11. 4.11 电压转换
  6. 5信号开关系列
    1. 5.1 CBT-C 系列
      1. 5.1.1 CBT-C 系列特性
        1. 5.1.1.1 VO 和 VI
        2. 5.1.1.2 ron 和 VI
        3. 5.1.1.3 下冲保护
      2. 5.1.2 CBT-C 系列应用
        1. 5.1.2.1 总线隔离
    2. 5.2 CBTLV 系列
      1. 5.2.1 CBTLV 系列特性
    3. 5.3 CB3Q 系列
      1. 5.3.1 CB3Q 系列特性
        1. 5.3.1.1 VO 和 VI
        2. 5.3.1.2 ron 和 VI
        3. 5.3.1.3 高频运行
        4. 5.3.1.4 输出偏斜
        5. 5.3.1.5 频率响应
        6. 5.3.1.6 相邻通道串扰
      2. 5.3.2 CB3Q 系列应用
        1. 5.3.2.1 USB 应用中的多路复用器
    4. 5.4 CB3T 系列
      1. 5.4.1 CB3T 系列特性
        1. 5.4.1.1 VO 和 VI
        2. 5.4.1.2 ron 和 VI
        3. 5.4.1.3 高频运行
      2. 5.4.2 CB3T 系列应用
        1. 5.4.2.1 笔记本电脑中外部监视器终端的电压转换
  7. 6应用
    1. 6.1 多路复用 USB 外围设备
    2. 6.2 多路复用以太网
    3. 6.3 笔记本电脑扩展坞
  8. 7结论
  9. 8参考文献
  10. 9修订历史记录
  11.   A 测试测量电路
    1.     A.1 ron 测量设置
    2.     A.2 VO 和 VI 特性的测量设置
    3.     A.3 电压-时间波形测量（开关开启）
    4.     A.4 电压-时间波形测量（开关关断）
    5.     A.5 输出偏斜测量
    6.     A.6 下冲测量的仿真设置
    7.     A.7 用于衰减测量的实验室设置
    8.     A.8 用于关断隔离测量的实验室设置
    9.     A.9 用于串扰测量的实验室设置

3.3 带有电荷泵的 NMOS 串联开关

尽管 NMOS/PMOS 并联开关中的源漏电阻低于 NMOS 串联开关中的源漏电阻，但 PMOS 增加了电容，这对于某些应用来说是不可取的。为了解决这个问题，可采用另一种开关结构，即在 NMOS 串联开关中加入了电荷泵电路。电荷泵电路在 NMOS 的栅极产生的电压比 VCC 高 2V 到 3V。因此，当输入达到 VCC 电平时，在 0V 至 VCC 输入电压范围内，开关仍处于闭合状态，输出电压等于输入电压。在 NMOS 串联开关中实现电荷泵电路的缺点是，电荷泵电路会产生额外功耗。图 3-5 所示为带有电荷泵的 NMOS 串联开关的简单原理图，图 3-6 所示为 ron 和 VI 特性。

GUID-F03750CF-D212-461E-8E61-62FA10CFDD1B-low.gif图 3-5 带有电荷泵的 NMOS 串联开关的基本结构
GUID-C4464569-2D3F-45E8-85D3-527B94C956A5-low.gif图 3-6 带有电荷泵的 NMOS 串联开关中的 ron 和 VI (VCC = 3.6V)