ZHCSSI2D July 2023 – August 2025 TMS320F28P650DH , TMS320F28P650DK , TMS320F28P650SH , TMS320F28P650SK , TMS320F28P659DH-Q1 , TMS320F28P659DK-Q1 , TMS320F28P659SH-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
负电阻是电振荡器向晶体呈现的阻抗。这是电振荡器为了克服振荡期间产生的损耗而必须为晶体提供的能量。Rneg 描述了一个提供而不是消耗能量的电路,也可以看作是电路的总体增益。
为确保晶体在所有条件下都能启动,普遍接受的做法是让 Rneg > 3 倍 ESR 至 5 倍 ESR。请注意,启动晶体所需的能量略大于维持振荡所需的能量;因此,如果能够确保在启动时满足负电阻要求,则维持振荡将不是问题。
图 6-27 和图 6-28 所示为该器件的负电阻与晶体元件之间的差异。从图中可以看出,晶体并联电容 (C0) 和有效负载电容 (CL) 对电振荡器的负电阻有极大影响。请注意,这些是典型图;因此,请参阅表 6-5 了解设计中需要注意的最小值和最大值。