LMG3422EVM-043

LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡

立即订购

LMG3422EVM-043

立即订购

概述

LMG3422EVM-043 将两个 LMG3422R030 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

特性

输入电压高达 600V
用于评估 LMG342XR0XX 性能的简单开环设计
用于 PWM 信号的单路/双路板载 PWM 输入（具有可变死区时间）
逐周期过流保护功能
用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点

Gallium nitride (GaN) power stages

LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET

LMG3426R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET

LMG3426R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET

下载观看带字幕的视频视频

立即订购并开发

了解硬件、软件包以及相关文档

Evaluating LMG3422R030 GaN FET power stage

See required tools and documentation for simulating and evaluating performance of LMG3422R030 in a power converter.

子卡

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡

必需

为什么需要？

This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.

TI.com 上无现货

评估板

LMG342X-BB-EVM — 适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板

必需

为什么需要？

This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.

TI.com 上无现货

文档和相关资源

应用手册

Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage PDF | HTML

硬件和软件包

Evaluating LMG3422R030 GaN FET power stage

了解详情

仅订购此硬件

子卡

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡

TI.com 上无现货

应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件.

技术文档

未找到结果。请清除搜索，并重试。

查看所有 5

类型	标题		下载最新的英文版本		日期
用户指南	LMG342XEVM-04X 用户指南 (Rev. B)	PDF \| HTML	英语版 (Rev.B)	PDF \| HTML	2022年 4月 14日
白皮书	Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN				2021年 3月 18日
白皮书	Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK				2021年 3月 18日
白皮书	通过结合 TI GaN FET 实现功率密集和高效的数字电源系统		英语版		2021年 1月 5日
证书	LMG3422EVM-043 EU Declaration of Conformity (DoC)				2020年 10月 26日

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

查看所有论坛主题

查看英文版所有论坛主题

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供，并不构成 TI 规范。参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问，请参阅 TI 支持。

视频系列

观看所有视频