ZHCAEV0 December   2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 引言
  5. 2 SiC 和 IGBT 特性
  6. 3 失效模式
  7. 4 短路保护方法
    1. 4.1 基于短路电流的保护实现方案
    2. 4.2 基于短路电压的保护实现方案
  8. 5 DESAT 电路设计
    1. 5.1 DESAT 电路元件选型
    2. 5.2 寄生元件的影响
    3. 5.3 Rlim 对 DESAT 噪声的影响
  9. 6 安全关断
    1. 6.1 安全关断机制
    2. 6.2 安全关断注意事项
  10. 7 短路测试设置和数据
    1. 7.1 短路工作台测量设置
    2. 7.2 用于数据收集的 SC 板设置
    3. 7.3 用于 SC 测试的不同电路配置
    4. 7.4 工作台测量结果
    5. 7.5 SiC 与 IGBT 电源模块短路观察的总体摘要
  11. 8 设计 SC 保护电路的关键注意事项
  12. 9 总结
  13. 10参考资料

5.2 寄生元件的影响

除了 DESAT 外部电路的参数值（电容、电阻、正向压降等）外，还必须注意外部电路引入的寄生效应及其影响。这里讨论了可能影响 DESAT 检测时间的两个寄生元件：高压二极管的结电容和 DESAT 节点上的寄生电容。

高压二极管的结电容会影响 DESAT 检测时间，因为它会从漏极/集电极耦合 dV/dt，从而导致电流流动。当漏极/集电极上存在负 dV/dt 时，会从 DESAT 引脚拉出电流；当漏极/集电极上存在正 dV/dt 时，则电流会注入 DESAT 引脚。这种电流电话可能增加或减少 DESAT 检测时间。图 5-3 展示了较大的高压二极管结电容如何导致 DESAT 引脚电压骤降更明显，从而延长消隐电容器的充电时间。

UCC21750Q1 结电容仿真结果图 5-3 结电容仿真结果

DESAT 节点上的额外寄生电容也会影响 DESAT 检测时间。这些寄生电容可能来自 DESAT 上的钳位二极管（肖特基二极管和/或齐纳二极管）或 PCB 布线电容。钳位二极管的结电容通常约为 5pF，而 PCB 布线寄生电容因系统而异，通常在 5pF 至 20pF 范围内。计算 DESAT 消隐电容器充电时间时，请考虑额外的电容值。