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UCC21750-Q1

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适用于 IGBT/SiC 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车级 5.7kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分级等级 C3
  • 高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD – VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • 发生故障时的 400mA 软关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用和禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
  • 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130 ns（最大）传播延迟和 30 ns（最大）脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分级等级 C3
  • 高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD – VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
  • 4A 内部有源米勒钳位
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    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
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  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用和禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
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  • 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130 ns（最大）传播延迟和 30 ns（最大）脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划

UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21750-Q1 包括先进的保护特性，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地感测温度或电压，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21750-Q1 包括先进的保护特性，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地感测温度或电压，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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