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隔离式栅极驱动器

UCC21750

正在供货

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

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UCC21750

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Short circuit protection, Soft turnoff Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bus voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Short circuit protection, Soft turnoff Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bus voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD – VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • 发生故障时的 400mA 软关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用和禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
  • 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130 ns（最大）传播延迟和 30 ns（最大）脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD – VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
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    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
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  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划

UCC21750 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21750 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21750 包括先进的保护特性，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地感测温度或电压，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

UCC21750 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21750 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21750 包括先进的保护特性，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地感测温度或电压，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。
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设计和开发

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用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC21750 PSpice Transient Model

SLUM680.ZIP (90 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC21750 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM718.ZIP (6 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC21750DWR PSPICE Model

SLUM736.ZIP (6 KB) - PSpice Model
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计算工具

UCC217xx XL Calculator Tool

SLUC695.ZIP (1108 KB)
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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参考设计

TIDA-01599 — 适用于工业驱动器且经过 TÜV SÜD 评估的安全转矩关闭 (STO) 参考设计 (IEC 61800-5-2)

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PMP23223 — 具有辅助电源的智能隔离式栅极驱动器参考设计

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UCC14xxx-Q1 信息：

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测试报告: PDF
封装 引脚数 下载
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包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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  • 材料成分
  • 认证摘要
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