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产品详细信息

参数

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT Peak output current (A) 5 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 1420 Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 76 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

特性

  • 适用于汽车电子 应用
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
    • 器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A
    • 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6

  • 在 VCM = 1500V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 50kV/μs,典型值为 100kV/μs
  • 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 短暂传播延迟:76ns(典型值),
    110ns(最大值)
  • 2A 有源米勒钳位
  • 输出短路钳位
  • 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警,并通过 RST 复位
  • 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 3V 至 5.5V 输入电源电压
  • 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
  • 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
  • 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
  • 可承受的浪涌隔离电压达 10000VPK
  • 安全及管理认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 1420 VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
    • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
    • GB4943.1-2011 CQC 认证
    • 已通过 UL、VDE、CQC、TUV 认证并规划进行 CSA 认证

应用

  • 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器:
    • 混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块
    • 工业电机控制驱动
    • 工业电源
    • 太阳能逆变器
    • 感应加热

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描述

ISO5451-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。

内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。当检测到 DESAT 时,栅极驱动器输出会被拉低为 VEE2 电势,从而将 IGBT 立即关断。

当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。FLT 的输出状态将被锁存,可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制,这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足,RDY 输出会变为低电平,否则该输出为高电平。

ISO5451-Q1 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装。此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 125°C。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 ISO5451-Q1 具有有源安全特性的高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极 驱动器 数据表 下载最新的英文版本 (Rev.A) 2016年 11月 6日
应用手册 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用手册 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
更多文献资料 TUV certificate for isolation devices 2020年 3月 14日
更多文献资料 CSA Certification 2019年 11月 19日
更多文献资料 VDE certificate for reinforced isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 2019年 11月 13日
更多文献资料 CQC Certification 2019年 9月 13日
更多文献资料 UL Certification 2019年 7月 30日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
用户指南 ISO5851 Evaluation Module 2015年 6月 19日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$49.00
说明

该评估模块采用 ISO5851 增强型隔离式栅极驱动器器件,可让设计人员通过预填充的 1-nF 负载或采用标准 TO-247 或 TO-220 封装的用户安装型 IGBT 来评估器件的交流和直流性能。

特性
  • 带 2.5A 拉电流和 5A 灌电流的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器。较短的传播时间可确保精确控制输出级。
  • 初级侧可在 3V 到 5.5V 的单个电源供电下运行。输出侧支持从最小 15V 到最大 30V 的电源范围。
  • 2A 米勒钳位、输出短路钳位、去饱和度时的故障警报以及带就绪引脚指示的输入和输出欠压锁定。
  • 有源输出下拉和默认低输出情况。DESAT 检测时带低电源和浮点输入的栅极驱动器。CMOS 兼容输入。
  • 该评估模块已针对器件功能性进行测试,同时其用户指南可供设计人员用于评估自己的设计。

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLLM448.ZIP (3 KB) - PSpice Model

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
SOIC (DW) 16 了解详情

订购与质量

支持与培训

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