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UCC21759-Q1

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适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 3.0kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 3kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 驱动高达 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • 在故障条件下提供 400mA 软关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报FLT和通过RST/EN 重置
  • 针对RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
  • 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证：
    • 符合 EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 4242VPK 基本绝缘
  • 3kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 驱动高达 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
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  • 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
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    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
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  • 针对RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
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  • 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证：
    • 符合 EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 4242VPK 基本绝缘

UCC21759-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 900V（直流），具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21759-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 636VRMS 的工作电压、超过 40 年的隔离栅寿命、6kVPK 的浪涌抗扰度，并提供较低的器件间偏斜和 >150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。

UCC21759-Q1 包含先进的保护特性，如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对 SiC 和 IGBT 功率晶体管优化的输入和输出侧电源 UVLO。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测，从而进一步提高驱动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。

UCC21759-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 900V（直流），具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21759-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 636VRMS 的工作电压、超过 40 年的隔离栅寿命、6kVPK 的浪涌抗扰度，并提供较低的器件间偏斜和 >150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。

UCC21759-Q1 包含先进的保护特性，如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对 SiC 和 IGBT 功率晶体管优化的输入和输出侧电源 UVLO。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测，从而进一步提高驱动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。
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