ZHCAEV0 December   2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 引言
  5. 2 SiC 和 IGBT 特性
  6. 3 失效模式
  7. 4 短路保护方法
    1. 4.1 基于短路电流的保护实现方案
    2. 4.2 基于短路电压的保护实现方案
  8. 5 DESAT 电路设计
    1. 5.1 DESAT 电路元件选型
    2. 5.2 寄生元件的影响
    3. 5.3 Rlim 对 DESAT 噪声的影响
  9. 6 安全关断
    1. 6.1 安全关断机制
    2. 6.2 安全关断注意事项
  10. 7 短路测试设置和数据
    1. 7.1 短路工作台测量设置
    2. 7.2 用于数据收集的 SC 板设置
    3. 7.3 用于 SC 测试的不同电路配置
    4. 7.4 工作台测量结果
    5. 7.5 SiC 与 IGBT 电源模块短路观察的总体摘要
  11. 8 设计 SC 保护电路的关键注意事项
  12. 9 总结
  13. 10参考资料

7.5 SiC 与 IGBT 电源模块短路观察的总体摘要

SiC IGBT
SC 电流在栅极导通后约 66ns 开始增加
（因为 SiC 具有较低的栅极阈值和较低的栅极电容）		 SC 电流在栅极导通后约 350ns 开始增加
（因为 IGBT 具有更高的栅极阈值和更高的栅极电容）
峰值电流 6.87kA（在约 1.5μs 延迟下） 峰值电流 2.565kA（在约 1.7μs 延迟下）
非常适合在 < 1μs 的时间内检测和启动栅极关断 非常适合在 < 2μs 的时间内检测和启动栅极关断
需要更快的关断速度，但要在过冲和关断时间之间保持平衡

由于 IGBT 能够承受 SC 电流的时间更长，因此应优先减少过冲