UCC21710
- 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 驱动高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 4A 内部有源米勒钳位
- 故障状况下 400 mA 软关断
- 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
- 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
- 高电压直流链路或相电压
- 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
- 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
- 抑制输入引脚上的 <40 ns 噪声瞬态和脉冲
- RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
- 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
- 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
- SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
- 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
- 安全相关认证：
- 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
- UL 1577 组件认证计划
UCC21710 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护特性、出色的动态性能和稳健性。 UCC21710 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏斜 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。
UCC21710 具有高级保护功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。
技术文档
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查看全部 10 | 类型 | 项目标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | UCC21710 适用于 SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟检测和高 CMTI 的 10A 拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 下载英文版本 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023年 5月 18日 |
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| 证书 | VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. R) | 2022年 7月 12日 | ||||
| 证书 | FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance | 2021年 10月 26日 | ||||
| 应用手册 | Performance of the Analog PWM Channel in Smart Gate Drivers | 2020年 1月 16日 | ||||
| 技术文章 | Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations | 2019年 8月 6日 | ||||
| 应用手册 | Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation | 2019年 1月 30日 | ||||
| 技术文章 | How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse | 2018年 9月 19日 | ||||
| 技术文章 | How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime | 2018年 5月 30日 |
设计和开发
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评估板
UCC21710QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板
UCC21710QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21710 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。
用户指南: PDF
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。
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参考设计
TIDA-01606 — 10kW 双向三相三级（T 型）逆变器和 PFC 参考设计
这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流 T 型逆变器级。50KHz 的较高开关频率减小了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗的 SiC MOSFET，可确保实现高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，从而达到 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制，可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。
参考设计
PMP23223 — 具有辅助电源的智能隔离式栅极驱动器参考设计
此参考设计展示了 UCC21732 栅极驱动器与 UCC14xxx 系列辅助电源的组合。此设计可用于驱动各种功率管，包括直接连接到 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 模块。此参考设计可用作高侧或低侧驱动器，也可使用容性模拟负载进行测试。
UCC14240-Q1、UCC14141-Q1 和 UCC14341-Q1 都是集成辅助电源的直接替代产品，每个产品都具有不同的目标输入电压和输出功率。
UCC14xxx-Q1 信息：
- UCC14240-Q1
- 隔离：基本型
- 输入电压 (V)：24（21 至 27）
- 输出电压 (V)：25（18 至 25）
- 功率输出 (W)：2
- (...)
测试报告: PDF
| 封装 | 引脚数 | 下载 |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 16 | 了解详情 |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。