主页
电源管理
栅极驱动器
隔离式栅极驱动器
主页
电源管理
栅极驱动器
隔离式栅极驱动器

UCC21710

正在供货

适用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 检测和内部钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

alarm通知 立即订购
数据表

UCC21710

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 驱动高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • 故障状况下 400 mA 软关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40 ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
  • 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 驱动高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • 故障状况下 400 mA 软关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40 ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
  • 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划

UCC21710 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护特性、出色的动态性能和稳健性。 UCC21710 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏斜 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21710 具有高级保护功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

UCC21710 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护特性、出色的动态性能和稳健性。 UCC21710 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏斜 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21710 具有高级保护功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。
filter 查找其他 隔离式栅极驱动器
下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，但引脚排列有所不同
UCC21732 正在供货 适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 Supports external Miller clamp; supports two-level Soft Turn-OFF
UCC21750 正在供货 适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 Supports overcurrent protection

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 12
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC21710 适用于 SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟检测和高 CMTI 的 10A 拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 5月 18日
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. W) 2025年 3月 4日
应用手册 为 IGBT 和 SiC 电源模块选择适当的保护方法 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 1月 8日
应用简报 我的设计是否需要米勒钳位？ PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 1月 6日
技术文章 How silicon carbide helps maximize efficiency in renewable energy systems PDF | HTML 2024年 1月 4日
用户指南 用于 Wolfspeed 1200V SiC 平台的 UCC217xx 和 ISO5x5x 半桥 EVM 用户指南 PDF | HTML 英语版 2023年 9月 5日
证书 UCC217xx/-Q1 CQC Certificate of Product Certification 2023年 6月 7日
应用简报 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 11月 14日
证书 FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance 2021年 10月 26日
应用手册 Performance of the Analog PWM Channel in Smart Gate Drivers 2020年 1月 16日
技术文章 Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations PDF | HTML 2019年 8月 6日
应用简报 Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 2019年 1月 30日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC21710QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管和电源模块的驱动和保护评估板

UCC21710QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150mm x 62mm x 17mm 和 106mm x 62mm x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21710 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。
用户指南: PDF
从分销商处购买
评估板

UCC21710QDWEVM-054 — UCC21710 Wolfspeed® 1200V SiC 平台评估模块

UCC21710QDWEVM-054 是一款紧凑型半桥栅极驱动器评估模块，包含两个单通道隔离式栅极驱动器。此评估模块提供用于驱动多个不同型号的 Wolfspeed® 碳化硅 (SiC) MOSFET 模块、分立式 SiC MOSFET 和其他具有类似引脚排列的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或 SiC MOSFET 模块所需的电源电压、驱动、保护和监控。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
仿真模型

UCC21710 PSpice Transient Model

SLUM679.ZIP (89 KB) - PSpice Model
下载
仿真模型

UCC21710 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM716.ZIP (6 KB) - PSpice Model
下载
设计工具

SLURAZ2 — UCC217xxEVM Design Files

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
隔离式栅极驱动器
UCC21710 — 适用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 检测和内部钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器
硬件开发
评估板
UCC21710QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管和电源模块的驱动和保护评估板 UCC21732QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管和电源模块的驱动和保护评估板 UCC21750QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管和电源模块的驱动和保护评估板
下载
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
发送申请
参考设计

TIDA-01606 — 11kW 双向三相三级（T 型）逆变器和 PFC 参考设计

此参考设计概述了如何实现基于 SiC 的双向三级三相有源前端 (AFE) 逆变器和功率因数校正 (PFC) 级。此设计使用高达 90kHz 的开关频率和 LCL 输出滤波器来减小磁性元件的尺寸。峰值效率达到了 98.6%。此设计展示了如何在 DQ 域中实现完整的三相 AFE 控制。这款双向转换器可实现直流快速充电和车辆到电网 (V2G) 应用。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP23223 — 具有辅助电源的智能隔离式栅极驱动器参考设计

此参考设计展示了 UCC21732 栅极驱动器与 UCC14xxx 系列辅助电源的组合。此设计可用于驱动各种功率管，包括直接连接到 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 模块。此参考设计可用作高侧或低侧驱动器，也可使用容性模拟负载进行测试。

UCC14240-Q1、UCC14141-Q1 和 UCC14341-Q1 都是集成辅助电源的直接替代产品，每个产品都具有不同的目标输入电压和输出功率。

UCC14xxx-Q1 信息：

  • UCC14240-Q1
    • 隔离：基本
    • 输入电压 (V)：24（21 至 27）
    • 输出电压 (V)：25（18 至 25）
    • 功率输出 (W)：2
  • (...)
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频