产品详细信息

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 0:-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270 ns 快速响应时间的过流保护
  • 外部有源米勒钳位
  • 发生故障时的 900mA 软关断
  • 隔离侧的 ASC 输入,用于在系统故障期间打开电源开关
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO 和 -3V VEE UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130 ns(最大)传播延迟和 30 ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 0:-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270 ns 快速响应时间的过流保护
  • 外部有源米勒钳位
  • 发生故障时的 900mA 软关断
  • 隔离侧的 ASC 输入,用于在系统故障期间打开电源开关
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO 和 -3V VEE UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130 ns(最大)传播延迟和 30 ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 +150°C

UCC21737-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 该器件具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21737-Q1 包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为)和稳健性。可以利用 ASC 功能在系统故障事件期间强制打开电源开关,从而进一步提高驱动器的多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。

UCC21737-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 该器件具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21737-Q1 包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为)和稳健性。可以利用 ASC 功能在系统故障事件期间强制打开电源开关,从而进一步提高驱动器的多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。

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评估板

UCC21732QDWEVM-025 — 适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块

UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板,可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础,后者采用 SOIC-16DW 封装,具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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