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产品详细信息

参数

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

特性

  • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
  • 具有符合面向汽车 标准 (计划的认证)
  • 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 有源米勒钳位
  • RDY 上的 UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 较短传播延迟和较小脉冲/器件间偏移
  • 工作温度范围:–40°C 至 125°C
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离

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描述

UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、出色的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 具有高级保护功能和高 CMTI 且适用于 SiC/IGBT 的 UCC21710-Q1 单通道隔离式栅极驱动器 数据表 2019年 2月 1日
应用手册 Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs 2020年 5月 13日
更多文献资料 电子书:工业机器人设计工程师指南 下载英文版本 2020年 3月 25日
更多文献资料 E-book: An engineer’s guide to industrial robot designs.. 2020年 3月 25日
技术文章 What the DIN VDE V 0884-11:2017-01 standard means for your isolated designs 2020年 2月 27日
用户指南 具有热敏二极管和感应 FET 的 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器参考设计 下载英文版本 2020年 1月 17日
应用手册 Performance of the Analog PWM Channel in Smart Gate Drivers 2020年 1月 16日
技术文章 Eight questions about monitoring and protection in hybrid and electric vehicles 2019年 5月 22日
应用手册 HEV/EV Traction Inverter Design Guide Using Isolated IGBT and SiC Gate Drivers 2019年 5月 2日
用户指南 UCC21732QDWEVM-025 2019年 4月 30日
应用手册 Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 2019年 1月 30日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$199.00
说明
UCC21710QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板,可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21710 为基础,后者采用 SOIC-16DW 封装,具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。
特性
  • 10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
  • 两个 5.7kVrms 增强型隔离式通道,可支持高达 1700V 的输入轨
  • 带软关断的短路保护和带内部 FET 的米勒钳位
  • CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案

软件开发

支持软件 下载
SLUC695.ZIP (1108 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLUM679.ZIP (89 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLUM716.ZIP (6 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLUM723.ZIP (6 KB) - PSpice Model

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
SOIC (DW) 16 视图选项

订购与质量

支持与培训

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