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Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
  • 具有符合面向汽车 标准 (计划的认证)
  • 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 有源米勒钳位
  • RDY 上的 UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 较短传播延迟和较小脉冲/器件间偏移
  • 工作温度范围:–40°C 至 125°C
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
  • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
  • 具有符合面向汽车 标准 (计划的认证)
  • 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 有源米勒钳位
  • RDY 上的 UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 较短传播延迟和较小脉冲/器件间偏移
  • 工作温度范围:–40°C 至 125°C
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离

UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、出色的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、出色的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

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功能与比较器件相同但引脚有所不同。
UCC21759-Q1 正在供货 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 3.0kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器 Basic isolation and DESAT protection

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* 数据表 具有高级保护功能和高 CMTI 且适用于 SiC/IGBT 的 UCC21710-Q1 单通道隔离式栅极驱动器 数据表 2019年 2月 1日
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 (Rev. Q) 2021年 11月 12日
证书 UL Certification (Rev. O) 2021年 2月 3日
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设计与开发

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评估板

UCC21710QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板

UCC21710QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板,可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21710 为基础,后者采用 SOIC-16DW 封装,具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。
现货
数量限制: 5
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UCC217xx XL Calculator Tool

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UCC21710 Unencrypted PSpice Transient Model

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仿真模型

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PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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