ZHCAEV0 December 2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1
为了模拟短路事件,我们使用了半桥栅极驱动器板 UCC21710QDWEVM-054。该半桥板能够进行双脉冲或 SC 测试。在 SC 测试中,高侧驱动器输入永久设置为高电平,同时低侧栅极驱动器将在高侧开关导通时开启。
高压电源和大容量电容用作 HV 电源。图 7-1 显示了 SC 测试的原理图。
图 7-1 半桥 SC 原理图表示IGBT (FF800R12KE7) 和 SiC (CAB450M12XM3) 电源模块用于收集 SC 事件的数据。基于 VSC 的保护方法用于为支持 DESAT 和 OC 的栅极驱动器捕获 SC 事件。
表 7-1 展示了电源开关的关键参数。
| SiC CAB450M12XM3 | IGBT FF800R12KE7 | |
|---|---|---|
| VCE/VDS (V) IC/ID (A) | 1200V 450A |
1200V 800A |
| Qg | 1330nC (Vds=800V) | 12.8uC (Vcc=600V) (10x) |
| Cies/Ciss、 Cres/Crss |
38nF、90pF | 122nF (3x)、0.6nF (6x) |