UCC21739-Q1

正在供货

适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 3kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 高达 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270ns 快速响应时间的过流保护
  • 外部有源米勒钳位
  • 发生故障时的内部 2 级关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证:
    • 4242VPK 隔离,符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准
  • 3kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 高达 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270ns 快速响应时间的过流保护
  • 外部有源米勒钳位
  • 发生故障时的内部 2 级关断
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    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
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  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证:
    • 4242VPK 隔离,符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准

UCC21739-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 900V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21739-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 636VRMS 的工作电压、6kVPK 的浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过 40 年的基本隔离,并提供较低的器件间偏斜和大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。

UCC21739-Q1 具有高级保护功能,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性)。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测,从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

UCC21739-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 900V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21739-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 636VRMS 的工作电压、6kVPK 的浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过 40 年的基本隔离,并提供较低的器件间偏斜和大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。

UCC21739-Q1 具有高级保护功能,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性)。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测,从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

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用户指南: PDF
TI.com 上无现货
计算工具

SLUC695 UCC217xx XL Calculator Tool

支持的产品和硬件

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产品
隔离式栅极驱动器
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参考设计

PMP23223 — 具有辅助电源的智能隔离式栅极驱动器参考设计

此参考设计展示了 UCC21732 栅极驱动器与 UCC14xxx 系列辅助电源的组合。此设计可用于驱动各种功率管,包括直接连接到 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 模块。此参考设计可用作高侧或低侧驱动器,也可使用容性模拟负载进行测试。

UCC14240-Q1、UCC14141-Q1 和 UCC14341-Q1 都是集成辅助电源的直接替代产品,每个产品都具有不同的目标输入电压和输出功率。

UCC14xxx-Q1 信息:

  • UCC14240-Q1
    • 隔离:基本型
    • 输入电压 (V):24(21 至 27)
    • 输出电压 (V):25(18 至 25)
    • 功率输出 (W):2
  • (...)
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