ZHCAEV0 December   2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 引言
  5. SiC 和 IGBT 特性
  6. 失效模式
  7. 短路保护方法
    1. 4.1 基于短路电流的保护实现方案
    2. 4.2 基于短路电压的保护实现方案
  8. DESAT 电路设计
    1. 5.1 DESAT 电路元件选型
    2. 5.2 寄生元件的影响
    3. 5.3 Rlim 对 DESAT 噪声的影响
  9. 安全关断
    1. 6.1 安全关断机制
    2. 6.2 安全关断注意事项
  10. 短路测试设置和数据
    1. 7.1 短路工作台测量设置
    2. 7.2 用于数据收集的 SC 板设置
    3. 7.3 用于 SC 测试的不同电路配置
    4. 7.4 工作台测量结果
    5. 7.5 SiC 与 IGBT 电源模块短路观察的总体摘要
  11. 设计 SC 保护电路的关键注意事项
  12. 总结
  13. 10参考资料

用于 SC 测试的不同电路配置

两种不同的 DESAT 电路实现和“OC 作为 DESAT”电路实现与两种不同的关断方法搭配使用,以比较 IGBT 和 SiC 电源模块的 SC 性能。

  • 无外部充电方式的 DESAT 电路实现:
    • 充电电流:0.5mA(典型值)
    • DESAT 检测阈值:9V
    • 将电容器更新为 50pF
    UCC21750Q1 无外部充电方式的 DESAT 实现图 7-4 无外部充电方式的 DESAT 实现
  • 通过 OUTH 进行外部充电的 DESAT 电路实现:
    • 充电电流:0.5mA +10mA(典型值)
    • DESAT 检测阈值:9V
    • 将电容器更新为 50pF
    UCC21750Q1 含外部充电方式的 DESAT 实现图 7-5 含外部充电方式的 DESAT 实现
  • 通过 OUTH 进行外部充电的“OC 作为 DESAT”电路实现:
    • 充电电流:典型值小于 10mA
    • OC 检测阈值:0.7V
    • 将电容器更新为 50pF
    UCC21750Q1 “OC 作为 DESAT”实现图 7-6 “OC 作为 DESAT”实现