ZHCAEV0 December 2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1
这里使用不同的检测方法执行了四种不同的 SC 测试。9V DESAT 阈值栅极驱动器 UCC21750-Q1 用于在没有外部充电电流和有外部充电电流的情况下捕获 SC 数据。此外,0.7V OC 阈值栅极驱动器 UCC21710-Q1 和 UCC21732-Q1 用于捕获 STO 和 2LTO 两种不同关断方式下的 SC 数据。
图 7-7 案例 1 和案例 2 SiC SC 事件屏幕截图如图 7-7 所示,在默认充电电流为 0.5mA 的情况下,与外部充电电路相比,检测时间、峰值 SC 电流、关断能量和关断时间都很大,以实现更快的检测。
图 7-8 Case3 和 Case4 SiC SC 事件屏幕截图如图 7-8 所示,“OC 作为 DESAT”峰值电流和检测时间(案例 3 和 4)与具有外部充电电流的“DESAT”检测时间(案例 2)相当。
在关断能量方面,案例 3 400mA STO 性能与案例 2 相匹配,但案例 4 的 2LTO 性能表现出更高的关断能量和更长的关断时间,因为栅极电压会在 9V 附近保持约 1μs,并且峰值电流没有降低,保持不变。这是因为 9V 阈值的栅极保持电压会使 SiC 模块保持导通,并且峰值电流没有降低。如果电源模块的“导通阈值”略低于 9V,则会降低 SC 电流,并且 2LTO 仅在这种情况下有效。
上述四种情况也适用于 IGBT 电源模块。
图 7-9 案例 1 和案例 2 IGBT SC 事件屏幕截图
图 7-10 案例 3 和案例 4 IGBT SC 事件屏幕截图就 DESAT/OC 电路行为而言,IGBT 的性能与 SiC 电源模块相当。
但是,与 SiC 相比,在 IGBT 模块中观察到的总峰值电流要低得多。因此,IGBT 模块的关断能量和关断时间都要低得多。