ZHCSYA5 May 2025 ADS117L14 , ADS117L18
PRODUCTION DATA
ADC 通道的模拟输入为差分输入,输入定义为差分电压:VIN = VAINP – VAINN。为了获得出色性能,使用差分信号驱动输入,共模电压以 1/2 Vs(即 (AVDD1 + AVSS) / 2)为中心。将未使用的输入端接地或连接到 AVSS 至 AVDD1 电源电压范围内的直流电压。
ADC 通过相应地配置 AVDD1 和 AVSS 电源,可接受单极或双极输入信号。图 7-1 展示了单极电源配置下的差分信号示例。当共模电压等于 1/2 Vs (AVDD1/2) 时,可提供对称输入电压余量。在单极运行模式下,请使用 AVDD1 = 5V 和 AVSS = 0V(中速和低速模式提供更低 AVDD1 电源电压的选项)。VCM 引脚提供缓冲共模电压,以对外部驱动器级中的信号电压进行电平转换。
图 7-2 展示了双极电源配置下的差分信号示例。信号的共模电压通常为 0V。在双极运行模式下,请使用 AVDD1 和 AVSS = ±2.5V(中速和低速模式提供更低 AVDD1 – AVSS 电源电压的选项)。
图 7-1 单极差分输入信号
图 7-2 双极差分输入信号在双极和单极配置中,ADC 通过将 AINN 输入连接到 AVSS、地或 1/2 Vs 来接受单端输入信号。但是,由于 AINN 为固定电压,因此无法获得全差分输入摆幅范围。所以,ADC 动态范围限制为 AINP 输入的电压摆幅(5V 电源时为 ±2.5V 或 0V 至 5V)。
图 7-3 中的电路显示了 ADC 通道的简化模拟输入电路。在静电放电 (ESD) 受控环境中制造的二极管可保护模拟输入免受 ESD 事件的影响,ESD 事件在制造过程和印刷电路板 (PCB) 组装过程中发生。如果输入被驱动至 AVSS – 0.3V 以下或 AVDD1 + 0.3V 以上,保护二极管可能会导通。在这些条件下,请使用外部钳位二极管和/或串联电阻器将输入电流限制为绝对最大额定值部分中所示的值。
ADC 通道的输入多路复用器可独立配置。多路复用器可提供正常或反向信号极性和内部测试模式的选项。这些测试模式用于 ADC 性能测试和诊断。输入短路测试模式通过将输入短接至 1/2 Vs 电压来验证噪声和失调电压误差。通过选择 +FS 或 –FS 连接可以测试满量程范围。为了避免评估期间输出代码被削波,请减小增益寄存器的值或将 ADC 编程为扩展范围模式。CMRR 测试模式通过将输入短接在一起以及由用户向 AINPn 或 AINNn 输入施加直流或交流测试信号来验证 CMRR 性能。用户对生成的数据进行分析以确定 CMRR 性能。使用测试模式时,可启用输入预充电缓冲器以获得出色精度。
表 7-1 展示了图 7-3 的输入多路复用器电路的开关配置。
| CHn_MUX[2:0] 位 | 闭合开关 | 说明 |
|---|---|---|
| 000b | S1、S4 | 正常极性输入 |
| 001b | S2、S3 | 反极性输入 |
| 010b | S9、S10 | 输入短路以进行失调电压和噪声测试 |
| 011b | S1、S10 | 输入短路且用户向 AINPn 施加信号以进行 CMRR 测试 |
| 100b | S4、S10 | 输入短路且用户向 AINNn 施加信号以进行 CMRR 测试 |
| 101b | S6、S7 | –FS 直流信号用于增益测试 |
| 110b | S5、S8 | +FS 直流信号用于增益测试 |
| 111b | S5、S8 | +FS 直流信号用于增益测试 |
输入采样电容器 CIN 是图 7-3 虚线框所示的简化输入采样网络的一部分。鉴于 CIN 的瞬时电荷需求,信号必须在调制器频率的半个周期 t = 1 / (2 · fMOD) 内稳定。为了满足这一要求,驱动器带宽通常比原始信号频率大得多。当达到 THD 和 SNR 数据表性能时,即可确定驱动器的带宽足够。由于低速模式下的调制器采样率只有高速模式下的八分之一,因此有更多的时间可供驱动器实现稳定。
输入采样电容器所需的电荷被建模为 ADC 输入的平均输入电流。如方程式 20 和方程式 14 所示,输入电流由差分和绝对分量组成。
其中:
其中:
对于 fMOD = 12.8MHz(高速模式)、CIN = 7.4pF 且 CCM = 0.3pF 的情况,差分电压产生的输入电流为 95μA/V,绝对电压产生的输入电流为 4.5μA/V。例如,如果 AINPn = 4.5V 且 AINNn = 0.5V,则 VIN = 4V。总 AINPn 输入电流 = (4V · 95μA/V) + (4.5V · 4.5μA/V) = 400μA。总 AINNn 电流 = (–4V · 95μA/V) + (0.5 · 4.5μA/V) = –378μA。
该器件集成了输入预充电缓冲器,可显著降低电容器 CIN 所需的电荷。在运行中,预充电缓冲器将提供充电电流。在采样阶段接近结束时,电容器 CIN 几乎充满电。缓冲器断开连接(图 7-3 的 S11 和 S12 处于向上位置)以便让外部驱动器为电容器提供精细充电。采样阶段完成时,采样电容器放电以完成该周期,此后将重复采样过程。预充电缓冲器的运行可将输入电流降低 99% 以上,在许多情况下这会提高 THD 和 SNR 性能。预充电缓冲器由 CHn_CFG1 寄存器的 CHn_BUFP 和 CHn_BUFN 位启用。如果任何通道的 AINN 输入接地或连接到低阻抗源,则应禁用 AINN 缓冲器以降低功耗。低阻抗源的一个示例是单端输入应用。