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RDS (on) (Milliohm) 70 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Rating Catalog
RDS (on) (Milliohm) 70 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Rating Catalog
VQFN (RWH) 32
  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
    • 25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护,响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 器件选项
    • LMG3410R070:锁存过流保护
    • LMG3411R070:逐周期过流保护
  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
    • 25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护,响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 器件选项
    • LMG3410R070:锁存过流保护
    • LMG3411R070:逐周期过流保护

LMG341xR070 GaN 功率级具有集成型驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

LMG341xR070 通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的 替代产品 ,以简化设计,最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。

LMG341xR070 GaN 功率级具有集成型驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

LMG341xR070 通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的 替代产品 ,以简化设计,最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN 数据表 (Rev. E) 下载最新的英文版本 (Rev.F) 2019年 1月 29日
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应用手册 High Voltage Half Bridge Design Guide for LMG3410 Smart GaN FET (Rev. A) 2018年 11月 10日
应用手册 Overcurrent protection in high density GaN power designs 2018年 10月 19日
用户指南 Using the LMG3410-HB-EVM Half-Bridge and LMG34XX-BB-EVM Breakout Board EVM (Rev. A) 2017年 5月 3日
白皮书 Enabling high-voltage power delivery through the power process chain 2017年 3月 23日
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白皮书 Application-Relevant Qualification of Emerging Semiconductor Power Devices, GaN 2016年 3月 31日
白皮书 Advancing power supply solutions through the promise of GaN 2015年 2月 24日

设计与开发

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评估板

LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板,可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分的热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 8A 的输出电流,以确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量,因为该板是开环板。

仅需要单脉冲宽度调制输入,即可在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

现货
数量限制: 3
子卡

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

LMG34XX-BB-EVM 是易于使用的输出板,可配置 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半桥板(作为同步降压转换器)。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件开关。该 EVM 能够在提供充分的热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 8A 的输出电流,以确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合于瞬态测量,因为该板是开环板。
仅需要单脉冲宽度调制输入,在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,以便允许使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
 
LMG3410-HB-EVM 使用所有必要的辅助外围电路在半桥中配置两个 LMG3410R070 GaN FET。该 EVM 旨在与更大的系统(如 LMG34XX-BB-EVM 或定制设计的功率级)配合使用。通过在具有便利连接点的高性能布局上提供 LMG3410R070,可以快速轻松地实现运行和电路中的测量。

无需电平位移或隔离,因为已经包含所有必要的电路。可以通过两种方法生成辅助偏置,默认使用仅需要单个 5V 输入且可配置为通过 12V 电压以引导模式运行的隔离电源。为散热器组合件提供了露铜焊盘,以允许更高的功率耗散。
现货
数量限制: 30
仿真模型

LMG3410R070 Unencrypted PSpice Model (Rev. D)

SNOM593D.ZIP (57 KB) - PSpice Model
仿真模型

LMG3410 TINA-TI Spice Model (Rev. B)

SNOM608B.TSC (158 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真工具

PSPICE-FOR-TI — PSPICE® for TI design and simulation tool

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI 器件、了解产品系列、打开测试台并对您的设计进行仿真,从而进一步分析选定的器件。您还可对多个 TI 器件进行联合仿真,以更好地展现您的系统。

除了一个完整的预加载模型库之外,您还可以在 PSPICE-FOR-TI 工具中轻松访问 TI 器件的全新技术资料。在您确认找到适合您应用的器件后,可访问 TI store 购买产品。 

借助 PSpice for TI,您可使用合适的工具来满足您在整个设计周期(从电路探索到设计开发和验证)的仿真需求。免费获取、轻松入门。立即下载 PSpice 设计和仿真套件,开始您的设计。

入门

  1. 申请使用 PSPICE-FOR-TI 仿真器
  2. 下载并安装
  3. 观看有关仿真入门的培训
CAD/CAE 符号

LMG3410 Daughter Card EVM Design Files (Rev. A)

SNOR009A.ZIP (10151 KB)
CAD/CAE 符号

LMG34xx Mother Board EVM Design Files

SNOR010.ZIP (4044 KB)
Reference designs

TIDA-010062 — 1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计

此参考设计是一种数字控制的紧凑型 1kW 交流/直流电源设计,适用于服务器电源单元 (PSU) 和通信电源整流器应用。 该高效设计支持两个主要功率级,包括一个前端连续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 功率级。PFC (...)
Reference designs

TIDM-02008 — Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU

此参考设计为3kW 双向交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级,采用 C2000™ 实时控制器和具有集成驱动器和保护功能的 LMG3410R070 氮化镓 (GaN)。此电源拓扑支持双向潮流(PFC (...)
Reference designs

TIDM-1007 — 交错式 CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计

交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件,由于具有电源效率高和尺寸减小的特点,因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET (...)
Reference designs

PMP20873 — 效率高达 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计

Continuous-Conduction-Mode (CCM) Totem-pole power factor correction (PFC) is a simple but efficient power converter.  To achieve 99% efficiency, there are many design details that need to be taken into account.  The PMP20873 reference design uses TI’s 600VGaN  power stage (...)
Reference designs

PMP20289 — 采用高电压 GaN 器件的 400V – 12V/500W 高频谐振转换器参考设计

PMP20289 经搭建和测试用于验证高频(>400kHz 标称开关频率)LLC 系列谐振转换器 (LLC-SRC) 的性能,此转换器由德州仪器 (TI) 的高压 GaN FET 在标称(390V 至 12V)电压转换中实现。数字控制器 UCD3138A 与 UCD7138 SR 控制器配套使用,以优化 LLC-SRC 效率。TI 的高压直接驱动 GaN FET LMG3410 可用于实现快速开关,并且能够最大限度地缩短半桥开关之间的死区时间。测试结果表明,在 24A 负载下可实现 96.8% 的峰值效率,在 42A 全负载下可实现 96.3% 的效率(390V 至 12V 转换中的开关频率超过 350kHz)。
Reference designs

PMP20637 — 具有 TI HV GaN FET 的高效率和高功率密度 1kW 谐振转换器参考设计

This reference design is a high efficiency, high power density and light weight resonant converter reference design. It converts a 390V input to a 48V/1kW output. The PMP20637 power stage has over 140W/in^3 power density. The whole board weight is less than 210g. With fixed 950kHz switching (...)
Reference designs

PMP21309 — 具有 HV GaN FET 的 24V/500W 谐振转换器参考设计

此参考设计是一种高频谐振转换器参考设计。使用谐振频率为 500kHz 的谐振回路,可将输出电压调节至 24V,输入电压介于 380V 至 400V 之间。此设计使用 TI 的高电压 GaN 器件 LMG3410R070 以及 UCD3138A 和 UCD7138 来优化死区时间和同步整流器 (SR) 导通,实现了 97.9% 的峰值效率。
Reference designs

PMP21842 — 具有 HV GaN FET 的 12V/500W 谐振转换器参考设计

This high-frequency resonant converter reference design regulates a 12-V output from a 380-V to 400-V input voltage range using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A peak efficiency of 96.0% (bias supply included) is achieved with this design using our high-voltage GaN device along with (...)
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订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

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