ZHCUBR5A October 2022 – February 2024
图 5-57 是在满负载运行的情况下获取的。所有重要的发热元件都连接到电路板底部的冷板。该图中显示的最热元件来自 EMI 滤波器中的共模电感器。这些器件无法接触冷板,其所有冷却效果都来自周围空气。
GaN FET 温度通过 LMG3522器件内部的板载温度传感器提供。在满载条件下,所有 FET 温度都低于 75°C。
表 5-5 列出了以下条件下的 GaN FET 温度测量值:
GaN FET | 温度 (°C) |
---|---|
PFC | 66.8 |
CLLLC 初级 (350V/19A) | 58.1 |
CLLLC 次级 (350V/19A) | 59.5 |
CLLLC 初级 (300V/19A) | 61.0 |
CLLLC 次级 (300V/19A) | 74.0 |
图 5-52 展示了以下条件下的变压器临界温度: