ZHCAD40A August   2018  – September 2023 UCC27710 , UCC27712 , UCC27714

 

  1.   1
  2.   针对半桥配置的自举电路选择
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2自举电路的基本操作
  6. 3自举元件选择
    1. 3.1 自举电容器
    2.     8
    3. 3.2 VDD 旁路电容器
    4. 3.3 外部自举二极管
    5.     11
    6. 3.4 自举电阻
    7.     13
  7. 4自举元件的布局注意事项
  8. 5总结
  9. 6参考文献
  10. 7修订历史记录

3.1 自举电容器

从设计角度来看，这是最重要的元件，因为它提供了低阻抗路径来提供高峰值电流，从而为高侧开关充电。根据一般的经验法则，该自举电容器的大小应确保能够提供足够的能量来驱动高侧 MOSFET 的栅极，而不会导致损耗超过 10%。该自举电容器应至少比高侧 FET 的栅极电容大 10 倍。其原因是需要考虑直流偏置和温度导致的电容变化，另外还有负载瞬态期间跳过的周期。栅极电容可以使用方程式 1 来确定：

方程式 1. Cg=QgVQ1g其中 Qg： 栅极 电荷 （MOSFET的 数据表）VQ1g=VDD-VBootDiode其中 VBootDiode： 自举 二极 管 上的 正 向 压降。