ZHCAD40A August   2018  – September 2023 LM2005 , LM2101 , LM2103 , LM2104 , LM2105 , LM25101 , LM27222 , LM2724A , LM5100A , LM5100B , LM5100C , LM5101 , LM5101A , LM5101B , LM5101C , LM5102 , LM5104 , LM5105 , LM5106 , LM5107 , LM5108 , LM5109 , LM5109A , LM5109B , LM5109B-Q1 , LM5113-Q1 , LMG1205 , LMG1210 , SM72295 , SM74104 , TPS28225 , TPS28225-Q1 , TPS28226 , TPS2832 , TPS2836 , TPS2837 , UC2950 , UCC27200 , UCC27200-Q1 , UCC27200A , UCC27201 , UCC27201A , UCC27201A-DIE , UCC27201A-Q1 , UCC27211 , UCC27211A , UCC27211A-Q1 , UCC27212 , UCC27212A-Q1 , UCC27222 , UCC27282 , UCC27282-Q1 , UCC27284 , UCC27284-Q1 , UCC27288 , UCC27289 , UCC27301A , UCC27301A-Q1 , UCC27302A , UCC27302A-Q1 , UCC27311A , UCC27311A-Q1 , UCC27710 , UCC27712 , UCC27712-Q1 , UCC27714 , UCC27734 , UCC27734-Q1 , UCC27735 , UCC27735-Q1 , UCC27834 , UCC27834-Q1 , UCC27884 , UCC27884-Q1

 

  1.   1
  2.   针对半桥配置的自举电路选择
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2自举电路的基本操作
  6. 3自举元件选择
    1. 3.1 自举电容器
    2.     8
    3. 3.2 VDD 旁路电容器
    4. 3.3 外部自举二极管
    5.     11
    6. 3.4 自举电阻
    7.     13
  7. 4自举元件的布局注意事项
  8. 5总结
  9. 6参考文献
  10. 7修订历史记录

确定栅极电荷后，可以使用方程式 2 来估算自举电容的最小值：

方程式 2. C boot ≥ 10 × C g

或者，可以使用方程式 3 来更准确地计算最小自举电容值：

方程式 3. C boot ≥ Q total ∆ V HB Q total = Q G + I HBS × D max f sw + I HB f sw 其中 ： · Q G = 总   MOSFET   栅极   电荷   （ MOSFET 的   数据表 ） · I HBS = HB   到   VSS   漏   电流   （ 栅极   驱动器 的   数据表 ） · D max = 最大   占空   比 · I HB = HB   静态   电流   （ 栅极   驱动器 的   数据表 ） 和 ∆ V HB = V DD - V DH - V HBL 其中 ： · V DD = 栅极   驱动器   IC   的   电   源   电压 · V DH = 自举   二极管   正向   压   降   （ 自举   二极管   数据表 ） · V HBL = HB   UVLO   下降   阈值   （ 栅极   驱动器   数据表 ）

需要注意的是，如果值低于所需的最小自举电容值，可能会激活驱动器的 UVLO，从而过早关断高侧 FET。另一方面，较高的自举电容值会在某些情况下（在对自举电容器进行初始充电时或具有较窄的自举充电周期）导致较低的纹波电压和较长的反向恢复时间，以及较高的峰值电流流过自举二极管。方程式 4 展示了自举电容与流经自举二极管的峰值电流之间的关系。

方程式 4. I peak = C boot × Dv dt

通常建议使用具有良好额定电压 (2xVDD)、温度系数和电容差的低 ESR 和低 ESL、表面贴装型多层陶瓷电容器 (MLCC)。