• 总输出功率 Po = (Vo + Vrl + Vd) Io

  其中，	Vo = 输出电压
  	Vrl = 绕组电阻引起的压降
  	Vd= 输出二极管的正向压降
  	Io= 输出电流

• 此配置的面积乘积如下：

  其中，	η = 全桥转换器的效率
  	Kw = 窗口系数
  	J = 电流密度 (A/m2)
  	Bm = 磁通密度
  	Fsw = 开关频率

• 初级匝数

  其中，	Ac= 磁芯面积
  	Vin（最大值）= 应用于全桥转换器的最大输入电压

• 匝数比

  其中，	Vin 最小值 = 应用于全桥转换器的最小输入电压
  	次级匝数 Ns = n x Np

• 电流 RMS 值

  	Isec = Io√Dmax
  	Ipri = n x Io
  其中，	Isec = 次级电流
  	Ipri = 初级电流

根据上述公式，可以计算出所需输出功率的对应匝数，并且还可以找出给定磁芯面积的初级和次级电流的 rms 值。

该计算基于 1kVA 的要求，以电池输入作为 EF32 磁芯中的输入电压 (12V)，并计算了初级和次级的相应匝数。

图 5-2 全桥直流/直流转换器的栅极驱动波形

Topic Link Label3.2.1为了最小化磁通走漏，如所述，可以使用全差分隔离放大器 AMC1100 来感测每个导通半部中的峰值电流。

AMC1100 是一款精密隔离放大器，通过高磁场抗扰度的二氧化硅 (SiO2) 隔离栅将输出与输入电路隔离。该隔离栅通过 UL1577 与 IEC60747-5-2 认证，可提供峰值高达 4250V 的电隔离。当与隔离电源配合使用时，此器件可防止高共模电压线路上的噪声电流流入本地接地端并干扰或损坏敏感电路。

在感应到峰值电流之后会针对每个相应的半部校正占空比，因此可以校正伏秒不对称问题，从而最小化磁通走漏。