ZHCSRW2C February 2023 – November 2025 TDA4AH-Q1 , TDA4AP-Q1 , TDA4VH-Q1 , TDA4VP-Q1
PRODUCTION DATA
表 6-28 表示 CPSW2G 时序条件。
| 参数 | 说明 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 输入条件 | ||||
| SRI | 输入信号压摆率 | 0.9 | 3.6 | V/ns |
| 输出条件 | ||||
| CL | 输出负载电容 | 10 | 470 | pF |
表 6-29、表 6-30 和图 6-37 说明了 MDIO 的时序要求。
| 编号 | 最小值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| MDIO1 | tsu(mdioV-mdcH) | 建立时间,在 MDIO[x]_MDC 高电平之前 MDIO[x]_MDIO 有效 | 90 | ns | |
| MDIO2 | th(mdcH-mdioV) | 保持时间,在 MDIO[x]_MDC 高电平之后 MDIO[x]_MDIO 有效 | 0 | ns | |
| 编号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|
| MDIO3 | tc(mdc) | 周期时间,MDIO[x]_MDC | 400 | ns | |
| MDIO4 | tw(mdcH) | 脉冲持续时间,MDIO[x]_MDC 高电平 | 160 | ns | |
| MDIO5 | tw(mdcL) | 脉冲持续时间,MDIO[x]_MDC 低电平 | 160 | ns | |
| MDIO7 | td(mdcL-mdioV) | 延迟时间,MDIO[x]_MDC 低电平到 MDIO[x]_MDIO 有效 | -150 | 150 | ns |
