ZHCSRW2C February 2023 – November 2025 TDA4AH-Q1 , TDA4AP-Q1 , TDA4VH-Q1 , TDA4VP-Q1
PRODUCTION DATA
图 6-30 展示了建议的晶体电路。用于实现振荡器电路的所有分立式元件应尽可能靠近 OSC1_XI 和 OSC1_XO 引脚放置。
图 6-30 OSC1 晶体实现晶体必须处于基本工作模式并且并联谐振。表 6-25 总结了所需的电气约束。
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Fxtal | 晶体并联谐振频率 | 19.2 | 27 | MHz | |||
| Fxtal | 晶体频率稳定性和容差 | 未使用以太网 RGMII 和 RMII | ±100 | ppm | |||
| RGMII 和 RMII 使用衍生的时钟 | ±50 | ||||||
| CL1+PCBXI | CL1 + CPCBXI 电容 | 12 | 24 | pF | |||
| CL2+PCBXO | CL2 + CPCBXO 电容 | 12 | 24 | pF | |||
| CL | 晶体负载电容 | 6 | 12 | pF | |||
| Cshunt | 晶体电路并联电容 | 19.2MHz < Fxtal ≤ 20MHz | ESRxtal ≤ 30Ω | 7 | pF | ||
| 30Ω < ESRxtal ≤ 80Ω | 5 | pF | |||||
| 80Ω < ESRxtal ≤ 100Ω | 3 | pF | |||||
| 20MHz < Fxtal ≤ 24.576MHz | ESRxtal ≤ 30Ω | 7 | pF | ||||
| 30Ω ≤ ESRxtal ≤ 60Ω | 5 | pF | |||||
| 60Ω < ESRxtal ≤ 80Ω | 3 | pF | |||||
| 不支持: 80Ω ≤ ESRxtal | – | ||||||
| 24.576MHz < Fxtal ≤ 25MHz | ESRxtal ≤ 30Ω | 7 | pF | ||||
| 30Ω < ESRxtal ≤ 50Ω | 5 | pF | |||||
| 50Ω < ESRxtal ≤ 80Ω | 3 | pF | |||||
| 不支持:80Ω ≤ ESRxtal | – | ||||||
| 25MHz < Fxtal ≤ 27MHz | ESRxtal ≤ 30Ω | 7 | pF | ||||
| 30Ω < ESRxtal ≤ 50Ω | 5 | pF | |||||
| 不支持:50Ω ≤ ESRxtal | – | ||||||
| ESRxtal | 晶体有效串联电阻 | 100 | Ω | ||||
选择晶体时,系统设计必须根据最坏情况和系统预期寿命来考虑温度和老化特性。
表 6-26 详细说明了振荡器的开关特性和输入时钟的要求。
| 参数 | 封装 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CXI | XI 电容 | ALY | 1.989 | pF | ||
| CXO | XO 电容 | ALY | 1.971 | pF | ||
| CXIXO | XI 至 XO 互电容 | ALY | 0.01 | pF | ||
| ts | 启动时间 | 9.5(1) | ms | |||
图 6-31 OSC1 启动时间