ZHCSIA0C May 2018 – September 2025 TAS3251
PRODUCTION DATA
TAS3251 为每个半桥栅极驱动内置自举电源,可用于为高侧 MOSFET 供电,每个半桥只需一个电容器。这些电容器连接在各半桥输出端,当 PWM 输出处于低电平状态时,它们通过内部二极管由 GVDD 电源充电。当输出 PWM 为高电平时,高侧栅极驱动由 BST 电容器上的电压供电。建议将 BST 电容器放置在靠近 TAS3251 器件的位置,并尽量缩短 PCB 布线长度。在 BST_xx 引脚和相应的输出级 SPK_OUTxx 引脚之间连接一个 0.033µF、耐压至少 25V 的陶瓷电容器。