ZHCSP98B February 2022 – March 2023 TAS2780
PRODUCTION DATA
| 最小值 | 最大值 | 单位 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 标准模式 | |||||
| fSCL | SCL 时钟频率 | 0 | 100 | kHz | |
| tHD;STA | （重复）START 条件后的保持时间。在此时间段之后，生成第一个时钟脉冲。 | 4 | μs | ||
| tLOW | SCL 时钟的低电平周期 | 4.7 | μs | ||
| tHIGH | SCL 时钟的高电平周期 | 4 | μs | ||
| tSU;STA | 重复 START 条件的建立时间 | 4.7 | μs | ||
| tHD;DAT | 数据保持时间：对于 I2C 总线器件 | 3.45 | μs | ||
| tSU;DAT | 数据建立时间 | 250 | ns | ||
| tr | SDA 和 SCL 上升时间 | 1000 | ns | ||
| tf | SDA 和 SCL 下降时间 | 300 | ns | ||
| tSU;STO | STOP 条件的建立时间 | 4 | μs | ||
| tBUF | STOP 与 START 状态之间的总线空闲时间 | 4.7 | μs | ||
| Cb | 每个总线的容性负载 | 400 | pF | ||
| 快速模式 | |||||
| fSCL | SCL 时钟频率 | 0 | 400 | kHz | |
| tHD;STA | （重复）START 条件后的保持时间。在此时间段之后，生成第一个时钟脉冲。 | 0.6 | μs | ||
| tLOW | SCL 时钟的低电平周期 | 1.3 | μs | ||
| tHIGH | SCL 时钟的高电平周期 | 0.6 | μs | ||
| tSU;STA | 重复 START 条件的建立时间 | 0.6 | μs | ||
| tHD;DAT | 数据保持时间：对于 I2C 总线器件 | 0 | 0.9 | μs | |
| tSU;DAT | 数据建立时间 | 100 | ns | ||
| tr | SDA 和 SCL 上升时间 | 20 + 0.1 × Cb[pF] | 300 | ns | |
| tf | SDA 和 SCL 下降时间 | 20 + 0.1 × Cb[pF] | 300 | ns | |
| tSU;STO | STOP 条件的建立时间 | 0.6 | μs | ||
| tBUF | STOP 与 START 状态之间的总线空闲时间 | 1.3 | μs | ||
| Cb | 每个总线的容性负载（10pF 至 400pF） | 400 | pF | ||
| 超快速模式 | |||||
| fSCL | SCL 时钟频率 | 1000 | kHz | ||
| tHD;STA | （重复）START 条件后的保持时间。在此时间段之后，生成第一个时钟脉冲。 | 0.26 | μs | ||
| tLOW | SCL 时钟的低电平周期 | 0.5 | μs | ||
| tHIGH | SCL 时钟的高电平周期 | 0.26 | μs | ||
| tSU;STA | 重复 START 条件的建立时间 | 0.26 | μs | ||
| tHD;DAT | 数据保持时间：对于 I2C 总线器件 | 0 | μs | ||
| tSU;DAT | 数据建立时间 | 50 | ns | ||
| tr | SDA 和 SCL 上升时间 | 120 | ns | ||
| tf | SDA 和 SCL 下降时间 | 120 | ns | ||
| tSU;STO | STOP 条件的建立时间 | 0.26 | μs | ||
| tBUF | STOP 与 START 状态之间的总线空闲时间 | 0.5 | μs | ||
| Cb | 每个总线的容性负载 | 550 | pF | ||