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ZHCSP98B February 2022 – March 2023 TAS2780

PRODUCTION DATA

9.2 典型应用

图 9-1 典型应用 - 数字音频输入

表 9-1 推荐的外部元件

元件	说明	规格	最小值	典型值	最大值	单位
C1	VBAT1S 去耦电容器 - VBAT1S 外部电源 (PWR_MODE0/1/3)	类型	X7R
		电容，容差为 20%		10		µF
		额定电压		10		V
	VBAT1S 去耦电容器 - VBAT1S 内部生成 (PWR_MODE2)	类型	X7R
		电容，容差为 20%		1		µF
		额定电压		10		V
C2	VBAT1S 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%		100		nF
		额定电压		10		V
C3	PVDD 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%	22			µF
		额定电压	30			V
C4	PVDD 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%		100		nF
		额定电压	30			V
C5	AVDD 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%	4.7			µF
		额定电压	6			V
C6	DREG 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%		1		µF
		额定电压	6			V
C7	IOVDD 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%		1		µF
		额定电压	6			V
C8、C9	自举电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%		100		nF
		额定电压	6			V
Lf1、Lf2（可选）	EMI 滤波电感器是可选的。TAS2780 器件支持无滤波器 D 类运行。如果使用铁氧体磁珠 EMI 滤波器，则建议使用 PFFB 功能。	100MHz 时的阻抗		120		Ω
		直流电阻			0.095	Ω
		直流电流	7			A)
Cf1、Cf2（可选）	EMI 滤波电容器是可选的。如果使用了 CF1、CF2，则设计必须使用 Lf2、Lf3	电容		1		nF
R_F	降噪滤波电阻器	电阻器，20% 容差	1			kΩ，
C_F	降噪滤波电容器	电容，容差为 20%			10/R_F(kΩ)	nF
C_F	降噪滤波电容器	额定电压	30			V