ZHCSP98B February 2022 – March 2023 TAS2780
PRODUCTION DATA
在上电序列期间，监控 AVDD 引脚的电路将使器件保持在复位状态（包括所有配置寄存器），直到电源有效。在 AVDD 有效且 SDZ 引脚被释放之前，器件不会退出“硬件关断”。一旦 SDZ 被释放，数字内核稳压器将会上电，从而能够检测工作模式。如果 AVDD 低于欠压阈值，系统将立即强制器件进入复位状态。
如果电源低于 PVDD 欠压阈值（由寄存器位 PVDD_UVLO_TH[5:0] 设置），该器件还监控 PVDD 电源并将模拟内核保持在断电状态。如果 TAS2780 处于有效运行状态并发生欠压故障，模拟模块将立即断电以保护器件。这些故障会被锁存，需要通过硬件或软件关断来清除故障。锁存寄存器将报告欠压故障。
如果器件检测到 TDM 时钟出现如下任何故障，则会过渡到软件关断模式：
• 无效的 SBCLK 与 FSYNC 之比
• FSYNC 频率无效
• SBCLK 或 FSYNC 时钟停止
检测到 TDM 时钟错误后，器件会尽快过渡到软件关断模式，以限制音频失真的可能性。一旦修复了所有 TDM 时钟错误，器件音量就会恢复到之前的播放状态。在 TDM 时钟错误期间，如果将时钟错误中断屏蔽寄存器位 IM_TDMCE 设置为低电平，则 IRQZ 引脚将置为低电平。时钟故障在锁存故障状态寄存器（位 IR_TDMCE]）中也可用于回读。
TAS2780 还会监控内核温度和 D 类负载电流，如果其中任何一个超过安全值，就将进入软件关断模式。和 TDM 时钟错误一样，如果故障中断屏蔽寄存器位对于过热和过流设置为低电平，则 IRQZ 引脚将置为低电平。故障状态也可以在锁存的故障寄存器中进行监控。
内核过热和 D 类过流错误可以是锁存的（例如，器件将进入“软件关断”，直到应用了硬件或软件关断序列），也可以将它们编程为在规定时间后自动重试。此行为可以在 OTE_RETRY、OCE_RETRY 寄存器位中进行配置（分别针对过热和过流）。即使在锁存模式下，D 类在出现过热或过流错误后也不会尝试重试，直到重试时间段（1.5 秒）结束。这可以防止以快速方式对器件施加重复应力，从而导致器件损坏。如果器件已通过硬件或软件关断循环，它将仅在重试时间段后开始运行。
默认情况下，所有重试功能都会被禁用。
当退出软件关断模式进入有效运行模式时（例如：MODE[2:0] 位从 010b 到 000b），如果检测到 PVDD 欠压，则器件将重新进入软件关断模式，并且将标记一个中断 (IL_PUVLO)。若要退出此故障，用户需要使用 MODE[2:0] 位清除中断并在软件关断模式下对器件进行编程，然后再尝试进入运行模式。
如果检测到内部 VBAT1S LDO 欠压并标记 IL_LDO_UV 中断，则 PWR_MODE2 中可能会发生类似情况。
状态寄存器（和 IRQZ 引脚，如果通过状态屏蔽寄存器启用）还指示限制器的行为，包括何时激活限制器、何时 PVDD 低于拐点、何时应用最大衰减、限制器何时处于无限保持状态以及限制器何时静音。
当器件在 PWR_MODE2 下运行时，VBAT1S 引脚由内部 LDO 供电。保护电路会监控该模块，并在发生欠压、过压或 LDO 过载时产生故障。如果触发这些故障之一，器件将进入软件关断模式。
IRQZ 引脚是一个漏极开路输出，在未屏蔽的故障条件下置位为低电平，因此必须通过一个电阻器将其上拉至 IOVDD。提供了一个内部上拉电阻，可以通过将 IRQZ_PU 寄存器位设置为高电平来访问（连接到引脚）。
IRQZ 中断配置可以使用 IRQZ_PIN_CFG[1:0] 寄存器位进行设置。IRQZ_POL 寄存器位会设置中断极性。
INT_LTCH_CLR 寄存器位允许清除所有中断锁存寄存器位。
仅当器件处于有效运行工作模式时，实时标志寄存器才有效。如果器件因 I2 命令或由于下述任何故障情况而关断，则有效运行标志将被复位。在这种情况下，锁存标志不会被复位，用户可以读取它们的状态。
| 中断 | 实时寄存器位 | 锁存寄存器位 | 屏蔽寄存器位 | 默认值（1 = 屏蔽） |
|---|---|---|---|---|
| 温度超过 105°C | IL_TO105 | IR_TO105 | IM_TO105 | 1 |
| 温度超过 115°C | IL_TO115 | IR_TO115 | IM_TO115 | 1 |
| 温度超过 125°C | IL_TO125 | IR_TO125 | IM_TO125 | 1 |
| 温度超过 135°C | IL_TO135 | IR_TO135 | IM_TO135 | 1 |
| 过热错误 | 器件处于关断状态 | IR_OT | IM_OT | 0 |
| 过流错误 | 器件处于关断状态 | IR_OC | IM_OC | 0 |
| TDM 时钟错误 | 器件处于关断状态 | IR_TDMCE | IM_TDMCE | 1 |
| TDM 时钟错误：无效的 SBCLK 比率或 FS 率 | IR_TDMCEIR | |||
| TDM 时钟错误：FS 发生动态更改 | IR_TDNCEFC | |||
| TDM 时钟错误：SBCLK FS 之比发生动态更改 | IR_TDMCERC | |||
| BOP 有效 | IL_BOPA | IR_BOPA | IM_BOPA | 0 |
| BOP 级别 0 有效 | IL_BOPL0A | IR_BOPL0A | IM_BOPL0A | 0 |
| BOP 级别 1 有效 | IL_BOPL1A | IR_BOPL1A | IM_BOPL1A | 0 |
| BOP 级别 2 有效 | IL_BOPL2A | IR_BOPL2A | IM_BOPL2A | 0 |
| BOP 级别 3 有效 | IL_BOPL3A | IR_BOPL3A | IM_BOPL3A | 0 |
| BOP 无限保持 | IL_BOPIH | IR_BOPIH | IM_BOPIH | 1 |
| BOP 静音 | IL_BOPM | IR_BOPM | IM_BOPM | 1 |
| PVDD 低于限制器拐点 | IL_PBIP | IR_PBIP | IM_PBIP | 1 |
| 限制器运行 | IL_LIMA | IR_LIMA | IM_LIMA | 1 |
| 限制器最大衰减 | IL_LIMMA | IR_LIMMA | IM_LIMMA | 1 |
| PVDD UVLO | 器件处于关断状态 | IR_PUVLO | IM_PUVLO | 0 |
| VBAT1S UVLO | 器件处于关断状态 | IR_VBAT1S_UVLO | IM_VBAT1S_UVLO | 0 |
| OTP CRC 错误 | 器件处于关断状态 | IR_OTPCRC | ||
| VBAT 增益限制器 | IL_VBATLIM | IR_VBATLIM | IM_VBATLIM | 1 |
| 负载诊断完成 | IR_LDC | IM_LDC | 1 | |
| 负载诊断模式故障 | IR_LDMODE[1:0] | IM_LDMODE[1:0] | 11 | |
| 内部 PLL 时钟错误 | 器件处于关断状态 | IR_PLL_CLK | IM_PLL_CLK | 1 |
| 噪声门运行 | IL_NGA | |||
| PVDD-VBAT1S 低于阈值 | IL_PVBT | IR_PVBT | IM_PVBT | 0 |
| 内部 VBAT1S LDO 过压 | 器件处于关断状态 | IR_LDO_OV | IM_LDO_OV | 1 |
| 内部 VBAT1S LDO 欠压 | 器件处于关断状态 | IR_LDO_UV | IM_LDO_UV | 0 |
| 内部 VBAT1S LDO 过载 | 器件处于关断状态 | IR_LDO_OL | IM_LDO_OL | 1 |
| 热检测阈值 2 | 器件处于关断状态 | IR_TDTH2 | IM_TDTH2 | 0 |
| 热检测阈值 1 | IL_TDTH1 | IR_TDTH1 | IM_TDTH1 | 0 |