CSD85302L - CSD85302L

CSD85302L (正在供货)

CSD85302L

 

描述

这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

特性

  • 共漏极配置
  • 低导通电阻
  • 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV

应用

  • USB Type-C/PD
  • 电池管理
  • 电池保护

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
CSD85302L CSD83325L CSD87313DMS CSD87501L
20    12    30    30   
Dual Common Drain    Dual    Dual Common Drain    Dual Common Drain   
24    5.9    5.5    5.5   
      3.9   
37    52      72   
6.0    8.4    28    15   
1.4    1.9    6.0    6   
LGA 1.35x1.35    LGA    SON3x3    LGA   
29    8.4    6.6     
20    4.9    4.6    4.6   
10    10    10    20   
0.90    0.95    0.9    1.8