CSD87503Q3E 30V 双路共源 N 沟道 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD87503Q3E (正在供货)

30V 双路共源 N 沟道 MOSFET

30V 双路共源 N 沟道 MOSFET - CSD87503Q3E
 

描述

CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件,专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻,可最大限度地较少损耗,且具有较少的组件数量,适用于空间受限的 应用。

特性

  • 双 N 沟道共源极 MOSFET
  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 低热阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, package limited (A)
Logic Level
Rating
CSD87503Q3E
30    
Dual Common Source    
21.9    
16.9    
89    
13.4    
5.8    
SON3x3    
20    
1.7    
10    
Yes    
Catalog    

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Vin
Min
V
  Max
V
 
Output Vout
V
  Iout
A
Ambient Temp °C  
Multiple Loads
Single Output
FPGA Power Processor Power
All
Actel
Altera
Lattice
Xilinx
TI
All
Multiple Loads
Multiple Loads
 

Vin (V)
Min
Max
Op. Temperature °C
Optional Light Output (Lumens)