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UCC21520-Q1

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具有禁用功能、可编程死区时间的汽车级增强型 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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UCC21550-Q1 正在供货 具有禁用功能、可编程死区时间的汽车级增强型 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21520-Q1

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产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 6.5, 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 6.5, 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DW) 16 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级
  • 功能安全质量管理型
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 10kV
  • 隔离层寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围，可与数字控制器和模拟控制器连接
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级
  • 功能安全质量管理型
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 10kV
  • 隔离层寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围，可与数字控制器和模拟控制器连接
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证

UCC21520-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达 1500VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出，在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

各个器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性，UCC21520-Q1 能够实现高效率、高电源密度和稳健性。

UCC21520-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达 1500VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出，在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

各个器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性，UCC21520-Q1 能够实现高效率、高电源密度和稳健性。
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设计与开发

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评估板

UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW，后者是一种具备 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流能力的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可以作为驱动功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计，具备 UCC21520 引脚功能识别、元件选择指南以及 PCB 布局示例。

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支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UCC21520 PSpice Transient Model

SLUM544.ZIP (59 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21520 TINA-TI Reference Design

SLUM552.TSC (168 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21520 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM551.ZIP (23 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21520 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM543.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-01604 — 效率为 98.6% 且适用于 HEV/EV 车载充电器的 6.6kW 图腾柱 PFC 参考设计

此参考设计基于多个碳化硅 (SiC) MOSFET 而构建，该 MOSFET 由 C2000 微控制器 (MCU) 通过 SiC 隔离式栅极驱动器进行驱动。此设计采用了三相交错技术并在连续导通模式 (CCM) 中运行，并且在 240V 输入电压和 6.6kW 全功率下效率高达 98.46%。C2000 控制器可实现切相和自适应死区时间控制，从而改善轻负载条件下的功率因数。栅极驱动器板（请参阅 TIDA-01605）能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。栅极驱动器板能进行增强型隔离，可承受超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (...)
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SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
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