UCC21520-Q1-DESIGN — UCC21520-Q1 design resources
支持的产品和硬件
产品
隔离式栅极驱动器
- UCC21520-Q1 — 具有双输入、禁用引脚、死区时间的汽车级 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器
- UCC21530-Q1 — 适用于 IGBT/SiC 且具有 EN 和 DT 引脚的汽车级 4A/6A 5.7kVRMS 双通道隔离式栅极驱动器
UCC21520-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。
输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500VDC 的工作电压。
每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出,在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
各个器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围,该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
凭借所有这些高级特性,UCC21520-Q1 能够实现高效率、高电源密度和稳健性。
可提供 UCC21520-Q1 安全手册和安全时基故障率报告。立即申请
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UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW,后者是一种具备 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流能力的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可以作为驱动功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计,具备 UCC21520 引脚功能识别、元件选择指南以及 PCB 布局示例。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
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