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产品详细信息

参数

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch MOSFET, IGBT Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Enable/disable function Disable Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 9.2, 6.5 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

特性

  • 符合汽车应用 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 工作温度范围:–40 至 +125°C
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 6ns 最大脉宽失真度
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100 V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kV
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流,6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可连接数字和模拟控制器
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可通过编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 可针对电源排序快速禁用
  • 安全相关认证:
    • 8000VPK 增强型隔离,符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 获得 GB4943.1-2011 CQC 认证

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描述

UCC21520-Q1 是隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500 VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出,在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

每个器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。凭借 3V 至 18V 的宽输入电压 VCCI 范围,该驱动器非常适合连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借上述所有高级 功能,UCC21520-Q1 可以实现高效率、高功率密度和稳健性。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 用于汽车的 UCC21520-Q1、UCC21520A-Q1 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. B) 下载最新的英文版本 (Rev.D) 2019年 4月 5日
应用手册 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用手册 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
更多文献资料 VDE certificate for reinforced isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 2019年 11月 13日
更多文献资料 CSA Product Certificate 2019年 8月 15日
更多文献资料 UCC21520 UL Certification 2019年 7月 22日
用户指南 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019年 4月 25日
用户指南 Using the UCC21520EVM-286, UCC20520EVM-286 and UCC21521CEVM-286 2018年 11月 27日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
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技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
白皮书 Driving the future of HEV/EV with high-voltage solutions 2018年 5月 16日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
应用手册 Reducing Switching Losses in On-Board Chargers for Electric Vehicles 2018年 3月 27日
白皮书 Cities grow smarter through innovative semiconductor technologies 2017年 7月 7日
白皮书 Charging stations: Toward an EV support infrastructure 2017年 5月 9日
更多文献资料 CQC Product Certificate 2016年 11月 4日
应用手册 UCC21520, a Universal Isolated Gate Driver with the Fastest Dynamic Response 2016年 7月 5日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
29
说明

UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW(一种具备 4A 源电流容量和 6A 峰值灌电流容量的隔离式双通道栅极驱动器)。此 EVM 可用作功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的驱动参考设计,具备 UCC21520 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。

特性
  • 使用 UCC21520 驱动高达 1200VDC 的 MOSFET、IGBT、SiC 的布局示例
  • 外设组件选择参考
  • 各引脚均在 PCB 布局中进行了扩展,具有引脚功能识别
  • PCB 板镂空有助于在初级侧和二级侧之间进行高压隔离测试
  • 两个输出通道间的最大爬电距离

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLUM543.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLUM544.ZIP (59 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLUM551.ZIP (23 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型 下载
SLUM552.TSC (168 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真工具 下载
PSPICE® for TI design and simulation tool
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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入门

  1. 申请使用 PSPICE-FOR-TI 仿真器
  2. 下载并安装
  3. 观看有关仿真入门的培训
特性
  • 利用 Cadence PSpice 技术
  • 带有一套数字模型的预装库可在最坏情形下进行时序分析
  • 动态更新确保您可以使用全新的器件型号
  • 针对仿真速度进行了优化,且不会降低精度
  • 支持对多个产品进行同步分析
  • 基于 OrCAD Capture 框架,提供对业界广泛使用的原理图捕获和仿真环境的访问权限
  • 可离线使用
  • 在各种工作条件和器件容许范围内验证设计,包括
    • 自动测量和后处理
    • Monte Carlo 分析
    • 最坏情形分析
    • 热分析

参考设计

参考设计 下载
效率为 98.6% 且适用于 HEV/EV 车载充电器的 6.6kW 图腾柱 PFC 参考设计
TIDA-01604 — This reference design functions from a base of silicon carbide (SiC) MOSFETs that are driven by a C2000 microcontroller (MCU) with SiC-isolated gate drivers. The design implements three-phase interleaving and operates in continuous conduction mode (CCM) to achieve a 98.46% efficiency at a 240-V (...)
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本 (Rev.B)

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
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