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UCC21520-Q1

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Automotive Reinforced, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime

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UCC21550-Q1 正在供货 Automotive Reinforced, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 6.5, 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 6.5, 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DW) 16 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级
  • 功能安全质量管理型
  • 结温范围:–40°C 至 +150°C
  • 开关参数:
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 10kV
  • 隔离层寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可与数字控制器和模拟控制器连接
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级
  • 功能安全质量管理型
  • 结温范围:–40°C 至 +150°C
  • 开关参数:
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 10kV
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  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可与数字控制器和模拟控制器连接
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    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证

UCC21520-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出,在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

各个器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围,该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性,UCC21520-Q1 能够实现高效率、高电源密度和稳健性。

UCC21520-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出,在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

各个器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围,该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性,UCC21520-Q1 能够实现高效率、高电源密度和稳健性。

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技术文档

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* 数据表 UCC21520-Q1 4A、6A、5.7kVRMS 汽车级 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 英语版 (Rev.E) PDF | HTML 2024-6-17
* 用户指南 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019-4-25
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) 2026-7-15
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白皮书 Charging stations: Toward an EV support infrastructure 2017-5-9
应用手册 UCC21520, a Universal Isolated Gate Driver with Fast Dynamic Response (Rev. A) PDF | HTML 2016-7-5

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW,后者是一种具备 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流能力的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可以作为驱动功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计,具备 UCC21520 引脚功能识别、元件选择指南以及 PCB 布局示例。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UCC21520 PSpice Transient Model

SLUM544.ZIP (59 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21520 TINA-TI Reference Design

SLUM552.TSC (168 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21520 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM551.ZIP (23 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21520 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM543.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-01604 — 效率为 98.6% 且适用于 HEV/EV 车载充电器的 6.6kW 图腾柱 PFC 参考设计

此参考设计基于多个碳化硅 (SiC) MOSFET 而构建,该 MOSFET 由 C2000 微控制器 (MCU) 通过 SiC 隔离式栅极驱动器进行驱动。此设计采用了三相交错技术并在连续导通模式 (CCM) 中运行,并且在 240V 输入电压和 6.6kW 全功率下效率高达 98.46%。C2000 控制器可实现切相和自适应死区时间控制,从而改善轻负载条件下的功率因数。栅极驱动器板(请参阅 TIDA-01605)能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。栅极驱动器板能进行增强型隔离,可承受超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (...)
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