具有两级关断保护功能的汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计
TIDA-01605
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描述

此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V 和 –4V 输出电压以及 1W 输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器实现了增强型隔离,可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS 隔离电压以及超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。此参考设计包含两级关断电路,可在短路情况下保护 MOSFET 抵御电压过冲。DESAT 检测阈值和第二级关断延迟时间是可配置的。此设计采用 ISO7721-Q1 数字隔离器来连接故障信号和复位信号。整体采用 40mm × 40mm 的紧凑型双层 PCB 板设计。

特性
  • 用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力,适用于驱动 SiC MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT,开关频率高达 500kHz
  • 紧凑高效的内置隔离式偏置电源(具有 15V 和 –4V 输出)
  • 分立式两级关断功能可实现短路保护,具有可调的电流限制和延迟(消隐)时间
  • 提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增强的 8kV 峰值电压和 5.7kV RMS 电压隔离

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型号 封装 | 引脚 CAD File (.bxl) STEP Model (.stp)
CSD17313Q2 WSON (DQK)| 6 下载 -
ISO7721-Q1 下载 下载
下载
LMV762Q-Q1 下载
下载
SN6501-Q1 下载
TL431-Q1 下载
下载
TPS7B69-Q1 下载
下载 -
UCC21530-Q1 下载

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用户指南 (1)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 5380 2020年 6月 3日
白皮书 (1)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 1890 2014年 10月 16日
设计文件 (6)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 6671 2019年 7月 1日
PDF 1731 2019年 7月 1日
PDF 214 2019年 7月 1日
ZIP 295 2019年 7月 1日
PDF 55 2019年 7月 1日
ZIP 789 2019年 7月 1日

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