ZHCAAO3L December 2015 – April 2025 CC1310 , CC1350 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2662R-Q1
9 CC23XX 和 CC27XX 的内部电容器阵列
概述
48MHz HFXT（高频晶体振荡器）电容器阵列旨在通过调整负载电容来微调晶体的频率。本节概述了配置、主要注意事项和最佳实践。
此电容器阵列被组织为 16 个电容器，每个引脚 4 行，从而可精确调节负载电容。
图 9-1 内部电容器阵列图对电容器阵列进行编程
可通过 SDK 中“Device Configuration”下的 syscfg 文件来配置电容器阵列。
- 每个引脚的修整代码范围为 0 至 63（0x0 至 0x3F）。
负载电容注意事项
影响晶体频率的总负载电容包括：
- 引脚电容（每个引脚 ≃7pF）
- 电容器阵列贡献（Q1CAP + Q2CAP，每个高达 13pF）
- PCB 布局和封装特性影响的其他因素
局限性
- 用户无法禁用电容器阵列特性。
- 如果使用外部负载电容器，则 TI 建议在 syscfg 文件中将 Q1CAP 和 Q2CAP 设置为 0。这将得出总寄生电容估算值约为 3pF 至 4pF。
- 在高于 105℃ 的温度值中可以更明显地看出存在轻微的温度依赖性。这可以通过考虑频移来缓解，因为这种影响在很大程度上可以通过易于观察的结构化行为来预测。
CC23XX 和 CC27XX 的内部电容器阵列值
电容器阵列值 (Q1 = Q2) | 参考板上测得的 CC23xx 电容 (pF) | 参考板上测得的 CC27xx 电容 (pF) |
|---|---|---|
1 | 3.7 | 3.9 |
2 | 3.7 | 4.0 |
3 | 3.8 | 4.1 |
4 | 3.9 | 4.1 |
5 | 4.0 | 4.2 |
6 | 4.1 | 4.3 |
7 | 4.1 | 4.4 |
8 | 4.2 | 4.4 |
9 | 4.3 | 4.5 |
10 | 4.4 | 4.6 |
11 | 4.4 | 4.7 |
12 | 4.5 | 4.7 |
13 | 4.6 | 4.8 |
14 | 4.6 | 4.9 |
15 | 4.7 | 5.0 |
16 | 4.7 | 5.0 |
17 | 4.8 | 5.0 |
18 | 4.9 | 5.1 |
19 | 5.0 | 5.2 |
20 | 5.1 | 5.3 |
21 | 5.2 | 5.4 |
22 | 5.3 | 5.5 |
23 | 5.3 | 5.6 |
24 | 5.4 | 5.7 |
25 | 5.5 | 5.8 |
26 | 5.6 | 5.9 |
27 | 5.7 | 6.0 |
28 | 5.8 | 6.1 |
29 | 5.9 | 6.2 |
30 | 6.0 | 6.3 |
31 | 6.1 | 6.4 |
32 | 6.3 | 6.6 |
33 | 6.4 | 6.7 |
34 | 6.5 | 6.8 |
35 | 6.6 | 6.9 |
36 | 6.7 | 7.0 |
37 | 6.8 | 7.2 |
38 | 6.9 | 7.3 |
39 | 7.1 | 7.4 |
40 | 7.2 | 7.5 |
41 | 7.3 | 7.6 |
42 | 7.4 | 7.8 |
43 | 7.5 | 7.9 |
44 | 7.6 | 8.0 |
45 | 7.7 | 8.1 |
46 | 7.8 | 8.2 |
47 | 7.9 | 8.3 |
48 | 7.9 | 8.3 |
49 | 8.1 | 8.5 |
50 | 8.3 | 8.7 |
51 | 8.4 | 8.8 |
52 | 8.6 | 9.0 |
53 | 8.7 | 9.2 |
54 | 8.9 | 9.3 |
55 | 9.0 | 9.5 |
56 | 9.2 | 9.7 |
57 | 9.3 | 9.8 |
58 | 9.5 | 10.0 |
59 | 9.6 | 10.1 |
60 | 9.8 | 10.3 |
61 | 9.9 | 10.5 |
有关对晶体进行调优的更多详细信息，请联系技术支持。