ZHCAAO3L December 2015 – April 2025 CC1310 , CC1350 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2662R-Q1
负电阻 (RN) 是完整振荡器电路的一个参数,而完整的振荡器电路包括电容器值、晶体参数和片上电路。CC 器件会动态调整振荡器参数,以确保晶体启动期间具有足够的振荡器裕量并在稳态期间释放裕量,从而降低电流消耗。这意味着,在使用满足 CC 数据表中所述要求的晶体时,可以在工作条件内验证适当的启动和稳定裕量。
方程式 7 给出了负电阻的近似值,并表明 CL 越小,负电阻值就越大。

其中:
对于 CC23xx 和 CC27xx,在启动阶段,高频晶体振荡器的跨导 (gm) 可以近似为 19 毫西门子。
对于 CC13xx 和 CC26xx,高频晶体振荡器的跨导 (gm) 可以近似为 7 毫西门子。
对于低频晶体,跨导 (gm) 可以近似为 30 微西门子。
用户可以将一个电阻器与晶体串联以找到电路的负电阻。为避免寄生效应,TI 建议使用 0201 电阻器来完成此任务。额外 0201 外部电阻与 ESR 或晶体之和的阈值,即振荡器无法启动的阈值,可以近似为与电路负电阻相同。
为确保晶体振荡器启动稳定,对于汽车应用,TI 建议负电阻的幅度在晶体的初始启动期间至少比 ESR 大10倍,在稳态运行期间至少比 ESR 大 5 倍。
虽然在某些用例和应用中,这些值可以在启动期间最小化到至少 3 倍,但 TI 建议使用 SysConfig 页面中的初始和稳态软件振幅补偿。TI 不建议采用低于这些值的运行值。这意味着存在使用限制,并且在这些较低的裕度下无法验证功能是否正常。