ZHCAAO3L December   2015  – April 2025 CC1310 , CC1350 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2662R-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 振荡器和晶体基础知识
    1. 1.1 振荡器运行
    2. 1.2 石英晶体电气模型
      1. 1.2.1 振荡频率
      2. 1.2.2 等效串联电阻
      3. 1.2.3 驱动电平
      4. 1.2.4 晶体牵引
    3. 1.3 负电阻
    4. 1.4 振荡器的时间常数
  5. 2 CC 器件晶体振荡器概述
    1. 2.1 24MHz 和 48MHz 晶体振荡器
    2. 2.2 24MHz 和 48MHz 晶体控制环路
    3. 2.3 32.768kHz 晶体振荡器
  6. 3 为 CC 器件选择晶体
    1. 3.1 运行模式
    2. 3.2 频率精度
      1. 3.2.1 24MHz 和 48MHz 晶体
      2. 3.2.2 32.768kHz 晶振
    3. 3.3 负载电容
    4. 3.4 ESR 和启动时间
    5. 3.5 驱动电平和功耗
    6. 3.6 晶体封装尺寸
  7. 4 晶体的 PCB 布局
  8. 5 测量晶体的振荡幅度
    1. 5.1 测量启动时间来确定 HPMRAMP1_TH 和 XOSC_HF_FAST_START
  9. 6 适用于 CC13xx、CC26xx、CC23xx 和 CC27xx 的晶体
  10. 7 高性能 BAW 振荡器
  11. 8 CC23XX 和 CC27XX 软件振幅补偿
  12. 9 CC23XX 和 CC27XX 的内部电容器阵列
  13. 10CC13xx 和 CC26xx 的内部电容器阵列
  14. 11总结
  15. 12参考资料
  16. 13修订历史记录

1.4 振荡器的时间常数

晶体振荡器的启动时间由开启时的瞬态条件、负电阻导致的小信号包络膨胀，以及大信号振幅限制所决定。包络膨胀是晶体的总负电阻与动态电感的函数。包络膨胀的时间常数与方程式 8 中给定的振荡器启动时间成正比。

方程式 8.

使用具有低 LM 的晶体时，启动时间会较短，使用具有大 RN（低 CL）的晶体时也是如此。应对低动态电容 (CM) 造成的牵引度与低动态电感 (LM) 带来的快速启动时间进行权衡，因为晶体的频率取决于 CM 和 LM。封装尺寸较小的晶体具有较大的 LM，与封装尺寸较大的晶体相比，启动速度更慢（请参阅节 1.2.1）。

表 1-1 总结了 TI 推荐可与 CC 器件配套使用的参考晶体的各种参数和值。

表 1-1 晶体参数
参数说明24MHz 晶体
用于 TI CC26x0 特性说明		TI 特性说明 CC23XX
32.768kHz 晶体		TI 特性说明 CC27XX-Q1
32.768kHz 晶体		TI 特性说明 CC27XX-Q1
48MHz 晶体
动态电感 (LM)在一定程度上决定晶体响应时间（晶体响应振荡器变化的速度）。Lm 越小 → 晶体响应振荡器变化的速度就越快。与 CM 一同构成决定晶体质量的主要因素12.6mH

3.69

kH

2.95kH

3.30mH

动态电容 (CM)在一定程度上决定晶体响应时间。CM 越小 → 晶体响应振荡器变化的速度就越慢。3.4fF6.4fF

8fF

3.40fF

动态电阻 (RM)在谐振条件下，Lm 和 CM 相互抵消，RM 会提供给振荡器。RM ≃ ESR 假定 CL >> CO。20Ω（最大值 60Ω）

120

kΩ

最大值

70 至 75

kΩ		30Ω
负载电容 (CL)将晶体调优到正确频率所需的负载电容大小。该负载电容也有助于确定驱动电平。9pF7pF

7pF

7pF
并联电容 (C0)这是晶体封装引起的寄生电容，有助于确定可接受的驱动电平。1.2pF1.3pF

1.5pF

0.84

pF
ESR等效串联电阻。如果 CL >> CO，则 ESR ≃ RM20Ω（最大值 60Ω）

120

kΩ

最大值

70 至 75

kΩ		30Ω
驱动电平晶体长时间可靠运行的最大功率级别，请参阅方程式 5200µW<500uW<500uW50µW

典型值至 200µW（最大值）