ZHCAAO3L December   2015  – April 2025 CC1310 , CC1350 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2662R-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 振荡器和晶体基础知识
    1. 1.1 振荡器运行
    2. 1.2 石英晶体电气模型
      1. 1.2.1 振荡频率
      2. 1.2.2 等效串联电阻
      3. 1.2.3 驱动电平
      4. 1.2.4 晶体牵引
    3. 1.3 负电阻
    4. 1.4 振荡器的时间常数
  5. 2 CC 器件晶体振荡器概述
    1. 2.1 24MHz 和 48MHz 晶体振荡器
    2. 2.2 24MHz 和 48MHz 晶体控制环路
    3. 2.3 32.768kHz 晶体振荡器
  6. 3 为 CC 器件选择晶体
    1. 3.1 运行模式
    2. 3.2 频率精度
      1. 3.2.1 24MHz 和 48MHz 晶体
      2. 3.2.2 32.768kHz 晶振
    3. 3.3 负载电容
    4. 3.4 ESR 和启动时间
    5. 3.5 驱动电平和功耗
    6. 3.6 晶体封装尺寸
  7. 4 晶体的 PCB 布局
  8. 5 测量晶体的振荡幅度
    1. 5.1 测量启动时间来确定 HPMRAMP1_TH 和 XOSC_HF_FAST_START
  9. 6 适用于 CC13xx、CC26xx、CC23xx 和 CC27xx 的晶体
  10. 7 高性能 BAW 振荡器
  11. 8 CC23XX 和 CC27XX 软件振幅补偿
  12. 9 CC23XX 和 CC27XX 的内部电容器阵列
  13. 10CC13xx 和 CC26xx 的内部电容器阵列
  14. 11总结
  15. 12参考资料
  16. 13修订历史记录

1.2.2 等效串联电阻

等效串联电阻 (ESR) 为晶体在串联谐振频率条件下表现出的电阻。方程式 4 提供了 ESR。

方程式 4.

C0 通常为 1pF，而高频晶体的 CL 为 5–9pF，低频晶体的 CL 为 6–12pF，因此很多晶体的 ESR 约为 RM，有时 ESR 近似表示为动态电阻。