ZHCSZ22A October   2025  – December 2025 LM5066H

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 PMBus 接口时序特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
      2. 7.5.2 PMBus 命令的详细说明
        1. 7.5.2.1  操作（01h，读取/写入字节）
        2. 7.5.2.2  CLEAR_FAULTS（03h，发送字节）
        3. 7.5.2.3  WRITE_PROTECT（10h，读取/写入字节）
        4. 7.5.2.4  RESTORE_FACTORY_DEFAULTS（12h，发送字节）
        5. 7.5.2.5  STORE_USER_ALL（15h，发送字节）
        6. 7.5.2.6  RESTORE_USER_ALL（16h，发送字节）
        7. 7.5.2.7  CAPABILITY（19h，读取字节）
        8. 7.5.2.8  VOUT_UV_WARN_LIMIT（43h，读取/写入字）
        9. 7.5.2.9  OT_FAULT_LIMIT（4Fh，读取/写入字）
        10. 7.5.2.10 OT_WARN_LIMIT（51h，读取/写入字）
        11. 7.5.2.11 VIN_OV_WARN_LIMIT（57h，读取/写入字）
        12. 7.5.2.12 IIN_OC_WARN_LIMIT（5Dh，读取/写入字）
        13. 7.5.2.13 STATUS_BYTE（78h，读取字节）
        14. 7.5.2.14 STATUS_WORD（79h，读取字）
        15. 7.5.2.15 STATUS_VOUT（7Ah，读取字节）
        16. 7.5.2.16 STATUS_INPUT（7Ch，读取字节）
        17. 7.5.2.17 STATUS_TEMPERATURE（7Dh，读取字节）
        18. 7.5.2.18 STATUS_CML（7Eh，读取字节）
        19. 7.5.2.19 STATUS_OTHER（7Fh，读取字节）
        20. 7.5.2.20 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h)
        21. 7.5.2.21 READ_EIN（86h，块读取）
        22. 7.5.2.22 READ_VIN（88h，读取字）
        23. 7.5.2.23 READ_IIN（89h，读取字）
        24. 7.5.2.24 READ_VOUT（8Bh，读取字）
        25. 7.5.2.25 READ_IOUT（8Ch，读取字）
        26. 7.5.2.26 READ_TEMPERATURE_1（8Dh，读取字）
        27. 7.5.2.27 READ_POUT（96h，读取字）
        28. 7.5.2.28 READ_PIN（97h，读取字）
        29. 7.5.2.29 PMBUS_REVISION（98h，读取字节）
        30. 7.5.2.30 MFR_ID（99h，块读取）
        31. 7.5.2.31 MFR_MODEL（9Ah，块读取）
        32. 7.5.2.32 MFR_REVISION（9Bh，块读取）
        33. 7.5.2.33 USER_DATA（BCh，读取/写入字节）
        34. 7.5.2.34 READ_VIN_MIN（A0h，读取字）
        35. 7.5.2.35 READ_VIN_PEAK（A1h，读取字）
        36. 7.5.2.36 READ_IIN_PEAK（A2h，读取字）
        37. 7.5.2.37 READ_PIN_PEAK (A3h)
        38. 7.5.2.38 READ_VOUT_MIN（A4h，读取字）
        39. 7.5.2.39 READ_TEMP_AVG（C7h，读取字）
        40. 7.5.2.40 READ_TEMP_PEAK（C8h，读取字）
        41. 7.5.2.41 READ_SAMPLE_BUF（C9h，块读取）
        42. 7.5.2.42 POWER_CYCLE（CAh，发送字节）
        43. 7.5.2.43 READ_VAUX（D0h，读取字）
        44. 7.5.2.44 MFR_READ_IIN（D1h，读取字）
        45. 7.5.2.45 MFR_READ_PIN (D2h)
        46. 7.5.2.46 MFR_IIN_OC_WARN_LIMIT（D3h，F8h，读取/写入字）
        47. 7.5.2.47 MFR_PIN_OP_WARN_LIMIT（D4h，读取/写入字）
        48. 7.5.2.48 CLEAR_PIN_PEAK（D6h，发送字节）
        49. 7.5.2.49 GATE_MASK（D7h，读取/写入字节）
        50. 7.5.2.50 ALERT_MASK（D8h，读取/写入字）
        51. 7.5.2.51 READ_VAUX_AVG（D9h，读取字）
        52. 7.5.2.52 BLOCK_READ（DAh，块读取）
        53. 7.5.2.53 SAMPLES_FOR_AVG（DBh，读取/写入字节）
        54. 7.5.2.54 READ_VIN_AVG（DCh，读取字）
        55. 7.5.2.55 READ_VOUT_AVG（DDh，读取字）
        56. 7.5.2.56 READ_IIN_AVG（DEh，读取字）
        57. 7.5.2.57 READ_PIN_AVG（DFh，读取字）
        58. 7.5.2.58 CLEAR_BB_RAM（E0h，发送字节）
        59. 7.5.2.59 READ_DIAGNOSTIC_WORD（E1h，读取字）
        60. 7.5.2.60 AVG_BLOCK_READ（E2h，块读取）
        61. 7.5.2.61 BB_ERASE（E3h，发送字节）
        62. 7.5.2.62 BB_CONFIG（E4h，读取/写入字节）
        63. 7.5.2.63 OC_BLANKING_TIMERS（E5h，读取/写入字节）
        64. 7.5.2.64 DELAY_CONFIG（E7h，读取/写入字节）
        65. 7.5.2.65 WD_PLB_ TIMER（E8h，读取/写入字节）
        66. 7.5.2.66 PK_MIN_AVG（E9h，读取/写入字节）
        67. 7.5.2.67 P2t 计时器（EAh，读取/写入字节）
        68. 7.5.2.68 FETCH_BB_EEPROM（EBh，发送字节）
        69. 7.5.2.69 READ_BB_RAM（ECh，块读取）
        70. 7.5.2.70 ADC_CONFIG_1（EDh，读取/写入字节）
        71. 7.5.2.71 ADC_CONFIG_2（EEh，读取/写入字节）
        72. 7.5.2.72 DEVICE_SETUP1（CCh，读取/写入字节）
        73. 7.5.2.73 DEVICE_SETUP2（EFh，读取/写入字节）
        74. 7.5.2.74 DEVICE_SETUP3（F0h，读取/写入字节）
        75. 7.5.2.75 DEVICE_SETUP4（CDh，读取/写入字节）
        76. 7.5.2.76 DEVICE_SETUP5（CEh，读取/写入字节）
        77. 7.5.2.77 IIN 偏移校准（F2h，读取/写入字节）
        78. 7.5.2.78 STATUS_MFR_SPECIFIC_2（F3h，读取字）
        79. 7.5.2.79 READ_BB_EEPROM（F4h，块读取）
        80. 7.5.2.80 BB_TIMER（F6h，读取字节）
        81. 7.5.2.81 PMBUS_ADDR（F7h，读取/写入字节）
      3. 7.5.3 读取和写入遥测数据和警告阈值
      4. 7.5.4 通过线性拟合的经验确定遥测系数
      5. 7.5.5 写入遥测数据
      6. 7.5.6 PMBus 地址线（ADR0、ADR1、ADR2）
      7. 7.5.7 SMBA 响应
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5.4 通过线性拟合的经验确定遥测系数

表 7-72 中所示的遥测测量和警告阈值系数足以满足大多数应用的需求。电流和功率系数取决于 RSNS，必须根据应用进行计算。这些是通过在整个温度范围内表征多个器件而获得的，并且被认为是最优的。电流和功率测量的小信号性质使其比其他遥测通道更容易受到 PCB 寄生效应的影响。此外，RSNS 和 LM5066Hx 本身也存在一些差异。这可能会导致从数字值转换为实际值（例如，安培和瓦特）的最优系数（m、b 和 R）略有变化。为了更大限度地提高遥测精度，可以使用经验方法针对给定的电路板校准系数。这将确定最佳系数来抵消 PCB 寄生效应、RSNS 变化以及 LM5066Hx 变化导致的误差。在一个电路板上进行测量并对所有生产中的器件使用计算出的系数并不是良好的做法，因为给定电路板上的 RSNS 和 LM5066Hx 是随机选择的，并不代表统计均值。建议对每块电路板单独进行校准，或直接采用表 7-72 中提供的推荐系数。

可以使用以下方法确定特定电路板的理想电流系数：

  1. 当 LM5066Hx 处于正常运行状态时，需控制负载电流，同时使用开尔文测试点和高精度 DVM 测量检测电阻两端的电压。记录 READ_AVG_IIN 命令返回的整数值（需将 SAMPLES_FOR_AVG 设置为大于 0 的值），且需在采样电阻两端施加至少两种不同电压的情况下进行记录。为了获得更好的结果，各个 READ_AVG_IIN 测量值应跨越几乎满量程的电流范围（例如，RSNS 两端的电压为 5mV 和 20mV）。
  2. 通过将测量的电压除以 RSNS 的值，将其转换为电流。为获得最佳精度，应测量 RSNS 的值。表 7-73 假设检测电阻值为 5mΩ。
    表 7-73 用于电流系数线性拟合确定的测量方法
    RSNS 两端的
    测量电压 (V)    		测量电流
    (A)    		READ_AVG_IIN
    （整数值）
    0.0051568
    0.0121108
    0.0242185
  3. 使用电子表格（或数学程序）来确定 READ_AVG_IIN 命令返回的数据相对于测量电流的斜率和 Y 轴截距。对于表 7-72 中显示的数据：
    • READ_AVG_IN 值 = 斜率 ×（测量电流）+（Y 轴截距）
    • 斜率 = 538.9
    • Y 轴截距 = 29.5
  4. 要确定 m 系数，只需移动计算斜率的小数点，即可得出具有适当有效位数（通常为 4）的整数，同时保持在 –32768 至 32767 的范围内。小数点的这种移位对应着 R 系数。对于上一步中显示的斜率值，小数点将向右移动一次，因此 R = –1。
  5. 确定 R 系数后，将 Y 轴截距乘以 10 –R 得出 b 系数。在这种情况下，b 的值为 295。
    • 计算得出的电流系数：
    • m = 5389
    • b = 295
    • R = –1
方程式 7. LM5066H

其中

  • X = 计算出的实际值（伏特、安培、瓦特、温度）
  • m = 斜率系数，是两字节二进制补码整数
  • Y = 从器件接收的两字节二进制补码整数
  • b = 偏移量，是两字节二进制补码整数
  • R = 指数，是单字节二进制补码整数

只需将测得的电流改为其他一些参数（例如功率或电压），即可重复此流程来确定任何遥测通道的系数。